低温直流反应磁控溅射制备ZnO:Al(ZAO)薄膜及表征

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• 作者：田奇席慧智刘健光
• 会议时间：2009-10-24
• 关键词：磁控溅射 ; 电阻率 ; 光透过率 ; 低温直流反应 ; 光电性能 ; 薄膜性能
• 作者单位：哈尔滨工程大学 材料科学与化学工程学院,哈尔滨 150001
• 母体文献：第十二届全国高校金相与显微分析学术年会论文集
• 会议名称：第十二届全国高校金相与显微分析学术年会
• 会议地点：桂林
• 主办单位：中国体视学学会
• 语种：chi

摘要

采用直流反应磁控溅射法,以锌铝(Zn-2wt[%]Al)合金为溅射靶材、玻璃片为基底,在40℃低温条件下,通过改变溅射气体中的氧分压制备了不同的ZAO薄膜,讨论了氧气分压对ZAO薄膜光电性能的影响。在本工艺条件下制备的ZAO薄膜,具有c轴择优取向的六角纤锌矿结构,最低电阻率为6.68×10-4Ω·cm;在可见光波段,光透过率均超过80[%]。