氮分压对反应磁控溅射法制备TiN薄膜结构和形貌的影响

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• 作者：杨凯张旭海于金蒋建清
• 会议时间：2005-09-26
• 关键词：反应磁控溅射 ; TiN薄膜 ; 氮分压 ; 择优取向 ; 薄膜结构 ; 薄膜形貌
• 作者单位：东南大学材料系,南京,210096
• 母体文献：2005年全国材料科学与工程学术会议
• 会议名称：2005年全国材料科学与工程学术会议
• 会议地点：辽宁锦州
• 主办单位：中国金属学会
• 语种：chi

摘要

本文采用反应磁控溅射的方法,以Si(111)为基底,在不同的氩氮流量比(即不同氮分压)的条件下,制备了一系列的TiN薄膜.用XRD和SEM表征了薄膜的结构和形貌.研究了不同氮分压对薄膜结构和形貌的影响.结果表明:高氮分压条件下制备的TiN薄膜具有{100}择优取向;较低氮分压条件下制备的TiN薄膜呈{111}择优取向;在更低或中间数值的氮分压条件下,TiN薄膜表现出任意取向;薄膜的沉积速率随着氮分压的增大而减小。