SnO2纳米线的制备及其气敏性能
- 作者：杜军军杨春军李建辉刘闪魏慧君毛磊
- 会议时间：2014-09-01
- 关键词：二氧化锡半导体纳米线 ; 制备工艺 ; 组织结构 ; 气敏性能
- 母体文献：华北地区第二十届热处理技术交流会论文集
- 会议名称：华北地区第二十届热处理技术交流会
- 会议地点：北京
- 主办单位：北京机械工程学会
- 语种：chi
- 分类号：TB3;TN3
摘要
本文以单质Sn为源料运用热蒸发法在较低真空度下成功获得了SnO2纳米线.利用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对所得纳米线的成分、结构及形貌进行了分析,结果表明所制备的纳米线为金红石结构二氧化锡单晶体,直径在70nm左右.将该纳米线制备成气敏元件,进行气敏性能测试,结果表明:该元件最佳工作温度为300℃,对易挥发可燃气氛甲醇、乙醇、丙酮有良好的灵敏度及快速的响应/恢复特性.