半导体制造装备抗等离子冲蚀用氧化物陶瓷
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  • 作者:冀晓鹃于月光任先京侯伟骜
  • 会议时间:2013-10-01
  • 关键词:氧化物陶瓷 ; 氧化钇 ; 抗等离子冲蚀性 ; 复层保护 ; 半导体装备
  • 作者单位:北京矿冶研究总院;北京市工业部件表面强化与修复工程技术研究中心
  • 母体文献:2013中国有色金属加工行业技术进步产业升级大会论文集
  • 会议名称:2013中国有色金属加工行业技术进步产业升级大会
  • 会议地点:苏州
  • 主办单位:中国有色金属加工工业协会
  • 语种:chi
  • 分类号:TN4;V25
摘要
在半导体及液晶显示屏的刻蚀制造装备中,高纯氧化铝和高纯氧化钇作为抗等离子冲蚀材料已得到广泛应用.对不同等离子能量下涂层相关性能的研究显示,高纯氧化钇涂层较高纯氧化铝涂层及氧化铝烧结块体表现出更为优异的抗等离子冲蚀性能.尽管氧化钇涂层的性能略低于氧化钇烧结块材,但随着等离子能量的提高,两者性能的差异也逐渐减小.随着等离子能量在实际工况下不断提高,氧化钇涂层也得到了更为广泛的应用.

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