硅对镉胁迫下铺地竹光合作用响应的调节

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• 作者：高雨唐慧高升李颖谢寅峰
• 会议时间：2013-10-01
• 关键词：土壤环境 ; 重金属污染 ; 镉胁迫 ; 铺地竹 ; 光合作用
• 作者单位：南京林业大学,森林资源与环境学院,210037
• 母体文献：2013北京国际环境技术研讨会论文集
• 会议名称：2013北京国际环境技术研讨会
• 会议地点：北京
• 主办单位：中国环境科学学会
• 语种：chi
• 分类号：S51;X59

摘要

以园林观赏竹种铺地竹为材料,通过盆栽试验,研究不同浓度硅对镉胁迫下铺地竹光合气体交换和叶绿素荧光参数的影响.结果表明,400mg/kg镉胁迫处理后铺地竹叶绿素相对含量(SPAD)、光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)、蒸腾速率(Tr)、PSII最大光化学效率(Fv/Fm)、PSII潜在活性(Fv/Fo)、PSⅡ有效光化学效率(Fv'/Fm')、PSII实际光化学效率(ΦPSⅡ)、电子传递速率(ETR)、光化学淬灭系数(qP)总体上均呈下降趋势,非光化学淬灭系数(NPQ)、胞间CO2浓度(Ci)与对照相比呈上升趋势,处理60d后,与对照相比均差异显著(P<0.05);不同浓度的外源硅均能抑制胁迫下SPAD、Pn、Gs、Tr、Fv/Fm、Fv/Fo、Fv'/Fm'、ΦPS II、ETR、qP的下降和NPQ的上升,其中以300mg/kgSi浓度处理效果最佳,但对Ci影响总体不明显.以上结果说明,镉胁迫处理使铺地竹光合能力下降,光合器官受到破坏,并产生了明显的光抑制;适当浓度外源硅处理有效地缓解了镉对铺地竹光合作用的伤害,提高了其在镉胁迫下的光合能力.硅的调节作用与改善胁迫下的气孔限制与非气孔限制因素有关.硅处理提高了镉胁迫下铺地竹的光能利用效率,促进了其对光能的吸收利用,也可能通过促进二氧化碳的利用能力,从而有效地缓解了镉对铺地竹造成的光抑制和光破坏,其机制尚待进一步研究.