集成磁电子器件研究
- 作者：钱正洪杨昌茂白茹詹宏良
- 会议时间：2009-08-17
- 关键词：集成磁电子器件 ; 巨磁阻效应 ; 自旋隧道效应 ; 磁敏器件
- 作者单位：钱正洪(杭州电子科技大学,浙江杭州 310018 东方微磁科技有限责任公司,湖北宜昌 443003)杨昌茂,詹宏良(东方微磁科技有限责任公司,湖北宜昌 443003)白茹(杭州电子科技大学,浙江杭州 310018)
- 母体文献：2009年全国第二届电磁材料及器件学术会议论文集
- 会议名称：2009年全国第二届电磁材料及器件学术会议
- 会议地点：贵州
- 主办单位：中国金属学会
- 语种：chi
摘要
磁电子材料及器件是目前国际学术界的一个热门研究领域。根据巨磁阻(GMR)效应和自旋隧道(MTJ)效应制成的各类先进磁敏器件迅速走向商品化。在2008年11月湖北召开的第十三届全国磁学和磁性材料会议上,磁电子材料和器件的研究被认为是事关中国能否赶上世界第四次科技发展浪潮的一个关键。鉴于此,本文从GMR传感器、磁电耦合器件及磁性存储和逻辑器件三个方面概述了国内外研究和生产先进磁电子器件的原理和技术及研发方向。