TFA-MOD法RE123涂层导体的外延生长研究
- 作者：高波应利良刘志勇鲁玉明蔡传兵
- 会议时间：2007-12-07
- 关键词：涂层导体 ; 晶粒 ; 外延生长 ; 超导薄膜
- 作者单位：上海大学,上海 200444
- 母体文献：第九届全国超导学术研讨会论文集
- 会议名称：第九届全国超导学术研讨会
- 会议地点：西安
- 主办单位：中国材料研究学会
- 语种：chi
摘要
采用TFA-MOD方法在单晶片SrTiO3和涂有不同缓冲层的NiW基底(NiW/LZO/CeO2和NiW/Y2O3/YSZ/CeO2)上制备了性能良好的REBa2Cu3O7-δ(REBCO,RE=Y,Ho etc.)单元及两元混合超导薄膜,其中Y1-xHoxBa2Cu3O7-x的超导转变温度(Tc)和面内外取向不随Ho离子的掺杂而降低。通过降低氧含量,把成相温度降低到780℃。在低氧含量(100μg/g)下,采用3~4 h的低温热处理过程和低加温速度(3℃/rain),获得高性能的REBCO薄膜(Jc>3.65 MA/cm2)。通过x射线衍射(XRD)和聚焦离子束显微镜(FIB)分析研究了缓冲层CeO2与超导层之间的界面反应和性质。CeO2与超导层之间存在较强的化学反应,而且此反应降低了超导层的织构化。超导层与CeO2之间的化学反应有可能受到缓冲层致密度的影响。