飞秒激光对p型HgCdTe成像材料电学性质的损伤

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• 作者：邱伟成
• 会议时间：2014-10-01
• 关键词：半导体器件 ; p型碲镉汞成像材料 ; 电学性质 ; 飞秒激光 ; 辐照损伤
• 作者单位：中科院上海技术物理研究所红外物理重点实验室
• 母体文献：第九届成像光谱技术与应用研讨会暨交叉学科论坛论文集
• 会议名称：第九届成像光谱技术与应用研讨会暨交叉学科论坛
• 会议地点：海南文昌
• 主办单位：中国空间科学学会空间遥感专业委员会
• 语种：chi
• 分类号：TN3;TB4

摘要

采用飞秒脉冲激光对p型碲镉汞材料进行辐照损伤研究,激光束诱导电流(LBIC)检测表明,P型碲镉汞材料经激光辐射后局部电学性质发生了转变,被激光刻蚀所形成的孔洞具有pn结特性.建立了孔洞结构的pn结转换模型,并对实验结果进行了模拟计算,研究结果表明,在飞秒激光辐照下可能造成Hg-Te化学健断裂,Hg原子往周围扩散,从而形成Hg填隙n型HgCdTe.同时,由于辐照区域较高的局部温度和压强给材料带来损伤,形成大量缺陷能级,极大地降低了少子寿命.