中频磁控溅射法制备BCN薄膜
- 作者：陈友明张广安王鹏杨生荣张俊彦
- 会议时间：2006-08-01
- 关键词：中频磁控溅射 ; BCN薄膜 ; 红外光谱 ; X射线光电子能谱 ; 薄膜微观结构 ; 单晶硅衬底
- 作者单位：陈友明,王鹏(中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100039)张广安(兰州大学等离子体与金属材料研究所,甘肃,兰州,730000)杨生荣,张俊彦(中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000)
- 母体文献：第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛论文集
- 会议名称：第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛
- 会议地点：兰州
- 主办单位：中国机械工程学会
- 语种：chi
摘要
采用中频磁控溅射技术,使用N2和Ar混合气体作为反应气体,分别溅射硼靶和石墨靶,在单晶硅衬底上制备了BCN薄膜.利用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构和化学组成进行了分析,结果表明,N元素在薄膜中主要是以B-N和C=N键合形式存在;另外,分析表明薄膜中还存在B-C键,这说明制备的BCN薄膜并非是石墨和h-BN简单的物理混合,而是B、C、N三种元素形成的具有一定原子比的化合物。