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	中文刊名：KJDB 英文刊名：Science & Technology Review 出版日期：2013-04-18 出版单位：科技导报 年：2013 期：v.31;No.401 语种：中文; 页：KJDB201311012 页数：1 CN：11 ISSN：11-1421/N 分类号：15

摘要

<正>等离子体浸没式氧离子注入技术修饰ITO表面可实现精确控制复旦大学光源与照明工程系区琼荣等进行了等离子体浸没式氧离子注入技术修饰ITO表面的研究。当前有机电致发光器件(OLED)广泛采用氧化铟锡(ITO)透明阳极兼出光窗口,然而ITO表面功函数与器件内层有机材料最高电子占有轨道(HOMO)之间的势垒较高,器件工作电压高,导致能效偏低以及稳定性差等问题。射频等离子体处理ITO可获得一定幅度功
        

引文