用于集成电路铜互连工艺的Low-K材料研究

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	作者：余家庆 ; 刘春晖 ; 董莹莹 ; 唐溪琴 ; 熊韵 ; 魏淑华 中文刊名：ELEW 英文刊名：Electronics World 机构：北方工业大学电子信息工程学院微电子学系; 出版日期：2019-02-23 出版单位：电子世界 年：2019 期：No.562 基金：北京市大学生科学研究与创业行动计划项目资助 语种：中文; 页：ELEW201904128 页数：3 CN：04 ISSN：11-2086/TN 分类号：208-210

摘要

<正>随着集成电路的快速发展,集成电路互连成为限制芯片性能的主要因素,而降低介质层的介电常数是解决互连问题的重要途径。本文综述了用于集成电路铜互连工艺的低介电(Low-K)材料的制备方法及Low-K候选材料。等离子体增强化学气相沉积和旋涂沉积法可根据各自的优缺点适用于不同情况中,low-k候选材料有着各自优缺点,周期性介孔有机硅(PMO)材料是目前应用较为广泛的low-k材料。
        

引文