功率MOSFET非钳位感性开关测试方法的研究
详细信息    查看全文 | 推荐本文 |
  • 作者:康锡娥 ; 郜月兰
  • 关键词:雪崩 ; 测试原理
  • 中文刊名:DZZZ
  • 英文刊名:Practical Electronics
  • 机构:中国电子科技集团公司第四十七研究所;沈阳辽海装备有限责任公司;
  • 出版日期:2015-05-22 15:32
  • 出版单位:电子制作
  • 年:2015
  • 期:No.285
  • 语种:中文;
  • 页:DZZZ201512031
  • 页数:1
  • CN:12
  • ISSN:11-3571/TN
  • 分类号:37
摘要
本文通过讲述UIS的测试原理,得出雪崩计算公式,着重对目前两种不同模式的测试方法,从测试原理上进行比对,总结两种模式下的特点。
        
引文
[1]姜靖超、杨谟华,功率MOSFET的UIS特性研究.
    [2]李果,任敏,李泽宏,张金平.功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法.
    [3]梁闻.半导体功率器件动态参数测试方法的研究与实现.

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有 京ICP备05064691号 京公网安备11010802017129号

地址:北京市海淀区学院路29号 邮编:100083

电话:办公室:(+86 10)66554848;文献借阅、咨询服务、科技查新:66554700