摘要
通过理论推导得出增加吸收电容后IGBT电压尖峰的表达式,分析吸收电容参数对尖峰电压的影响。通过仿真结果验证理论推导的正确性。
The expression of IGBT voltage peak is obtained by theoretical deduction,and the influence of absorption capacitance parameters on peak voltage is analyzed. The correctness of theoretical deduction is verified by the simulation results.
引文
[1]翟龙,陈燕平,蒋云富,等.兆瓦级风电功率组件的IGBT吸收电路设计[J].大功率变流技术,2016(4):42-45.
[2]何多昌. GTO器件△型吸收电路分析[J].机车电传动,2002(1):14-17.
[3]何人望,黄炜.高压IGCT缓冲电路的仿真与实验研究[J].电力电子技术,2007,41(7):83-85.
[4]唐雄民,李轶,彭永进,等. ZVS-PWM电路中无损吸收回路分析[J].电力电子技术,2005,39(2):108-111.
[5]蒋家久,何多昌,唐亚军,等.三相全波整流器空载过电压及换流过电压研究[J].大功率变流技术,2011(2):39-44.
[6]刘文华,宋强,王志泳,等.20MvarSTATCOM装置的GTO关断吸收电路[J].清华大学学报(自然科学版),2000,40(7):12-16.
[7]姚刚,沈燕群,李武华,等.一种新型的有源交错并联Boost软开关电路[J].中国电机工程学报,2005,25(10):65-70.
[8]姜栋栋,王烨,卢峰,等.IGBT过电压产生机理分析及RC缓冲电路的设计[J].电力科学与工程,2011,27(4):23-30.
[9]张斌,王辉,李增印,等.基于P_N结反向恢复过程的吸收电路的仿真设计[J].机车电传动,2003(6):27-31.
[10]邹扬举,马振宇,罗凌波,等.IGCT变流器相模块吸收电路参数设计[J].大功率变流技术,2015(5):18-24.