摘要
采用法国OMMIC公司70nm GaAsm HEMT工艺,设计实现一款26-40GHz单片微波集成(MMIC)低噪声放大器,该电路采用四级级联结构,仿真结果表明:在工作频段内增益达到29dB,输入回波损耗优于-10dB,输出回波损耗优于-15dB。
引文
[1]David M.Pozar.张肇仪,周乐柱,吴德明.微波工程(第三版)[M].北京:电子工业出版社,2006:138-482.
[2]陈莹,李斌.4-10GHz宽带单片集成低噪声放大器设计[J].中国科学院上海天文台年刊,2011(32):121-120.
[3]李政凯,李斌.8-20GHz宽带单片微波集成低噪声放大器设计[J].中国科学院上海天文台年刊,2014(35):57-63.
[4]Richard Chi-Hsi Li.鲍景富,唐宗熙,张彪.射频电路工程设计[M].北京:电子工业出版社,2011:305-308.
[5]Robert.Hu,An 8-20GHz Wide-Band LNADesign and the Analysis of Its Input Matching Mechanism.IEEEMicrowave and Wireless Components Letters.2004.vol.14(11):528-530.
[6]Robert.Hu,Wide-Band Matched LNA Design Using Transistor’s Intrinsic Gate-Drain Capacitor.IEEETransactions on Microwave Theory and Techniques.2006,54(03):1277-1286.
[7]徐兴福.ADS2008射频电路设计与仿真实例(第二版)[M].北京:电子工业出版社,2013:118-177.