26-40GHz单片微波集成低噪声放大器研究
详细信息    查看全文 | 推荐本文 |
  • 作者:孙昕 ; 陈莹 ; 李斌
  • 关键词:低噪声放大器 ; 毫米波 ; 单片微波集成电路 ; 砷化镓
  • 中文刊名:DZRU
  • 英文刊名:Electronic Technology & Software Engineering
  • 机构:中国科学院上海天文台;中国科学院大学;
  • 出版日期:2017-05-03 11:30
  • 出版单位:电子技术与软件工程
  • 年:2017
  • 期:No.107
  • 基金:国家自然科学基金6.5-45.5GHz超宽带致冷接收机的关键技术研究(11473060);国家自然科学基金基于天马望远镜的恒星形成与星际介质研究(11590784);; 国家高技术研究发展计划(863计划)平方公里阵列射电望远镜(SKA)天线关键技术(2014AA123601);; 科技部国际合作专项VLBI全球观测接收系统关键技术研究(2015DFA10720)
  • 语种:中文;
  • 页:DZRU201709091
  • 页数:3
  • CN:09
  • ISSN:10-1108/TP
  • 分类号:120-122
摘要
采用法国OMMIC公司70nm GaAsm HEMT工艺,设计实现一款26-40GHz单片微波集成(MMIC)低噪声放大器,该电路采用四级级联结构,仿真结果表明:在工作频段内增益达到29dB,输入回波损耗优于-10dB,输出回波损耗优于-15dB。
        
引文
[1]David M.Pozar.张肇仪,周乐柱,吴德明.微波工程(第三版)[M].北京:电子工业出版社,2006:138-482.
    [2]陈莹,李斌.4-10GHz宽带单片集成低噪声放大器设计[J].中国科学院上海天文台年刊,2011(32):121-120.
    [3]李政凯,李斌.8-20GHz宽带单片微波集成低噪声放大器设计[J].中国科学院上海天文台年刊,2014(35):57-63.
    [4]Richard Chi-Hsi Li.鲍景富,唐宗熙,张彪.射频电路工程设计[M].北京:电子工业出版社,2011:305-308.
    [5]Robert.Hu,An 8-20GHz Wide-Band LNADesign and the Analysis of Its Input Matching Mechanism.IEEEMicrowave and Wireless Components Letters.2004.vol.14(11):528-530.
    [6]Robert.Hu,Wide-Band Matched LNA Design Using Transistor’s Intrinsic Gate-Drain Capacitor.IEEETransactions on Microwave Theory and Techniques.2006,54(03):1277-1286.
    [7]徐兴福.ADS2008射频电路设计与仿真实例(第二版)[M].北京:电子工业出版社,2013:118-177.

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有 京ICP备05064691号 京公网安备11010802017129号

地址:北京市海淀区学院路29号 邮编:100083

电话:办公室:(+86 10)66554848;文献借阅、咨询服务、科技查新:66554700