2~4 GHz MMIC低噪声放大器
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  • 英文篇名:A 2~4 GHz MMIC low noise amplifier
  • 作者:井永成 ; 尹军舰 ; 李仲茂 ; 唐舸宇 ; 冷永清
  • 英文作者:JING Yong-cheng;YIN Jun-jian;LI Zhong-mao;TANG Ge-yu;LENG Yong-qing;Institute of Microelectronic of Chinese Academy of Sciences;University of Chinese Academy of Sciences;
  • 关键词:低噪声放大器 ; 单片集成电路 ; 砷化镓 ; 高增益
  • 英文关键词:low noise amplifier;;Microwave Monolithic Integrated Circuit(MMIC);;GaAs;;high gain
  • 中文刊名:GWDZ
  • 英文刊名:Electronic Design Engineering
  • 机构:中国科学院微电子研究所;中国科学院大学;
  • 出版日期:2019-01-05
  • 出版单位:电子设计工程
  • 年:2019
  • 期:v.27;No.399
  • 基金:国家自然科学基金委员会青年科学基金(61501455);; 北京市自然科学基金面上项目(4162068)
  • 语种:中文;
  • 页:GWDZ201901015
  • 页数:5
  • CN:01
  • ISSN:61-1477/TN
  • 分类号:81-85
摘要
针对通信系统对S波段低噪声放大器的需求,基于0.25μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA)。该放大器采用两级级联的拓扑结构,第一级放大器利用微带线作为源极负反馈元件,第二级采用局部并联负反馈拓宽带宽,并且通过共享双电源供电,减小面积并降低噪声系数。仿真结果表明,在工作频带内,噪声系数低于1 dB,增益高于30.6 dB,输入回波损耗低于-8 dB,输出回波损耗低于-10 dB,芯片面积为2 mm*1.5 mm,与其它文献相比,该放大器在S波段具有更加优异的性能。
        Demand for a communication system for S-band low noise amplifier,a 2~4 GHz MMIC low noise amplifier(LNA) using 0.25 μm GaAs PHEMT process technology was designed. A two-stage cascade circuit was used in LNA,and a section of microstrip line was used to the series negative feedback structure connected to source in the first stage,the partial parallel negative feedback was applied in the second stage to broaden the bandwidth. Also,the circuit shared a dual-power which reduces the area and noise figure. The simulation results show that from 2 to 4 GHz the noise figure is below 1dB,the small signal gain is higher than 27.5 dB,the input return loss is less than-8dB,the output return loss is less than-10 dB and the size of LNA is only 2 mm*1.5 mm. Compared with other LNAs,this amplifier has more excellent performance and can be more effectively applied to the S-band communication system.
引文
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