浅谈稀土掺杂半导体发光材料
详细信息    查看全文 | 推荐本文 |
  • 作者:王丹红
  • 关键词:稀土 ; 半导体 ; 光致发光
  • 中文刊名:SDGJ
  • 英文刊名:Shandong Industrial Technology
  • 机构:咸阳职业技术学院;
  • 出版日期:2019-03-26
  • 出版单位:山东工业技术
  • 年:2019
  • 期:No.286
  • 语种:中文;
  • 页:SDGJ201908047
  • 页数:1
  • CN:08
  • ISSN:37-1222/T
  • 分类号:56
摘要
稀土元素因其特殊的电子结构,使得其在光致发光材料领域有重大的研究价值。本文从稀土材料简介、稀土材料的光致发光特性两方面入手,浅谈了稀土元素掺杂半导体发光材料的研究现状。
        
引文
[1]李健宇.稀土发光材料及其应用[M].北京:化学工业出版社,2003.
    [2]张希艳.稀土发光材料[M].北京:国防工业出版社,2005(03).
    [3]J.Domaradzki,A.Borkowska,et al.Photoluminescence and electrical characterization of transparent Eu and Pd-doped TiO2 thin films.6th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems,Smolenice,SLOVAKIA,Ieee.2006.
    [4]J.Domaradzki,A.Borkowska,et al.Influence of post annealing on optical and structural properties of Eu and Pd-doped TiO2thin films.Optica Applicata.2007,37:51-56.
    [5]A.Podhorodecki,R.Kudrawiec,J.Misiewicz,et al.1.54[mu]m photoluminescence from Er-doped sol-gel derived In2O3 films embedded in porous anodic alumina.Optical Materials.2006,28(6-7):685-687.
    [6]陈海燕,谢延凯,刘应开.Cd S:Y3+纳米带的制备及其光致发光特性[J].四川大学学报,2018,55(03):601-604.
    [7]王磊,薛奉金,赵冬洋等.Yb3+,Er3+,Tm3+共掺杂NaGd(WO4)2荧光粉的制备和发光性能[J].南阳师范学院学报,2018,17(04):6-9.

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有 京ICP备05064691号 京公网安备11010802017129号

地址:北京市海淀区学院路29号 邮编:100083

电话:办公室:(+86 10)66554848;文献借阅、咨询服务、科技查新:66554700