DMOS器件及工艺的研究与分析
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  • 作者:张相飞 ; 周芝梅 ; 王永刚 ; 万勇
  • 关键词:DMOS ; LDMOS ; VDMOS
  • 英文关键词:DMOS;;LDMOS;;VDMOS
  • 中文刊名:KJFT
  • 机构:国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司;
  • 出版日期:2019-01-29
  • 出版单位:科技风
  • 年:2019
  • 期:No.372
  • 语种:中文;
  • 页:KJFT201904102
  • 页数:3
  • CN:04
  • ISSN:13-1322/N
  • 分类号:123-125
摘要
本文介绍了DMOS器件的基本知识,包括DMOS的基本工艺及类型,介绍了实际工艺中的DMOS结构及参数。
        This paper introduced the basic knowledge of DMOS device and include basic process and process type.This paper also introduced DMOS architecture and parameter in actual process.
引文
[1]乔明,方健,肖志强,张波,李肇基.“1200V MR D2RESURF LDMOS与BCD兼容工艺研究”.半导体学报,2006,27(8):1447.
    [2]P.Gassot,B.Desoete,R.Gillon,D.Bolognesi,and M.Tack,“Optimization of metal connections in Lateral DMOS transistors for driving applications”,2003.
    [3]AMI Semiconductor,“I2T100 DESIGN AND LAYOUT MANUAL”,2007.
    [4]AMI Semiconductor,“I2T100 Technology Training”,2006.
    [5]Alpha&Omega Semiconductor Inc. Shekar Mallikarjunaswamy,“LDMOS Technology and Applications”,2013.
    [6]Moscatelli A,Merlini A,Croce G,et al.LDMOS implementation in a 0135μm BCD technology(BCD6). Proc of ISPSD,2000:323.

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