一种双面型宽频带的左手材料设计研究
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  • 英文篇名:Design of a Double Sides Type of Wideband Left-Handed Materials
  • 作者:代小琴 ; 迟洁茹 ; 何光峰 ; 宋来军
  • 英文作者:DAI Xiaoqin;CHI Jieru;HE Guangfeng;SONG Laijun;School of Electronic Information,Qingdao University;
  • 关键词:双面型 ; 宽频带 ; 左手材料 ; 左手特性
  • 英文关键词:double sides;;wideband;;left-handed material;;left-handed properties
  • 中文刊名:QDDX
  • 英文刊名:Journal of Qingdao University(Engineering & Technology Edition)
  • 机构:青岛大学电子信息学院;
  • 出版日期:2019-05-15
  • 出版单位:青岛大学学报(工程技术版)
  • 年:2019
  • 期:v.34;No.132
  • 基金:山东省自然科学基金资助项目(ZR2016FM11)
  • 语种:中文;
  • 页:QDDX201902039
  • 页数:5
  • CN:02
  • ISSN:37-1268/TS
  • 分类号:130-134
摘要
针对目前左手材料普遍存在的谐振频率低、带宽窄和高损耗的问题,本文基于谐振型左手材料理论,设计了一种双面型宽频带左手材料结构。该结构将螺旋对称形金属片与十字形金属片分别放置在介质基板的两侧,形成一个左手材料单元,在2个左手材料单元顺序排列条件下,实现最佳谐振性,为了验证所设计的材料结构是否具有左手特性,采用高频仿真软件进行电磁仿真,同时采用Matlab软件与传输反射法(nicolson-ross-weir,NRW)进行计算。研究结果表明,该材料在3.37~5.87GHz范围内,具有谐振特性,满足低损耗要求;在2.5~4.8GHz范围内,介电常数和磁导率同时为负,实现了材料的左手特性。该研究具有一定的实际应用价值。
        Aiming at the low resonance frequency,narrow bandwidth and high loss of the left-handed materials,this paper designs a double-sided wide-band left-hand material structure based on the resonant left-hand material theory.The structure places a spiral symmetrical metal piece and a cross-shaped metal piece on both sides of the dielectric substrate to form a left-hand material unit,and achieves optimal resonance under the condition of two left-hand material units sequentially arranged,in order to verify whether the designed material structure has left-handed characteristics,high-frequency simulation software is used for electromagnetic simulation,and Matlab software and transmission reflection method(nicolson-ross-weir,NRW)are used for calculation.The results show that the material has resonance characteristics in the range of 3.37~5.87 GHz and meets the requirements of low loss.In the range of 2.5~4.8 GHz,the dielectric constant and magnetic permeability are negative at the same time,which realizes the left-hand characteristics of the material.This research has certain practical application value.
引文
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