相变存储器的存储技术教学研究

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	英文篇名：Review on the Teaching of Storage System Technology of Phase Change Memory 作者：李华 英文作者：Li Hua;Qingyuan Senior Technical Institute; 关键词：相变存储器 ; 存储系统 ; 存储技术 英文关键词：phase change memory;;storage system;;storage technology 中文刊名：GZDN 英文刊名：Computer & Telecommunication 机构：清远市技师学院; 出版日期：2017-03-10 出版单位：电脑与电信 年：2017 期：No.247 语种：中文; 页：GZDN201703032 页数：3 CN：03 ISSN：44-1606/TN 分类号：73-75

摘要

相变存储器的诞生,是人类存储技术的一个里程碑,它改善了传统DRAM存储方式的缺陷,进一步拓展了计算机内存,使计算机结构发生了创新性的变革。本文从相变存储器的概念入手,对其相变存储技术进行初步的分析研究,总结它的规律和特点,以期为今后的存储技术教学带来一些有益的帮助。
        The birth of phase change memory is a milestone of human storage technology. It improves the defects of traditional DRAM storage and further expands the computer's memory, making innovative changes to the computer architecture. This article starts with the concept of phase change memory, studies on the phase change storage technology preliminarily, summarizes its rule and characteristics, hoping to bring some useful help to the storage technology teaching.

引文

[1]张鸿斌.基于相变存储器的存储系统与技术综述[J].计算机研究与发展,2014,51(8):1647-1662.
    [2]冒伟.基于相变存储器的存储技术研究综述[J].计算机学报,2015,38(5):944-960.