多晶硅生产副产物四氯化硅的综合利用

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英文篇名：Comprehensive Utilization of Silicon Tetrachloride By-product of Polycrystalline Silicon 作者：刘刚 英文作者：LIU Gang(New Energy Branch,Qinghai Huanghe Hydropower Development Co.Ltd.,Xining 810000,China) 关键词：四氯化硅 ; 氮化硅 ; 多晶硅 ; 综合利用 英文关键词：silicon tetrachloride;silicon nitride;polycrystalline silicon;comprehensive utilization 中文刊名：METE 英文刊名：Nonferrous Metals(Extractive Metallurgy) 机构：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司; 出版日期：2013-08-12 出版单位：有色金属(冶炼部分) 年：2013 基金：青海省重点企业技术创新项目(2011-JC-07) 语种：中文; 页：METE201308006 页数：4 CN：08 ISSN：11-1841/TF 分类号：46-48+76

摘要

利用吉布斯自由能理论对四氯化硅合成氮化硅的化学气相沉积体系中可能发生的化学反应进行热力学分析。结果表明,在1 500K以上反应时,可以得到较高纯度的氮化硅。对多晶硅生产中四氯化硅的来源和主要杂质情况进行了比较,得出的四氯化硅综合利用方式是:将SiCl4(Ⅰ)通入精馏工艺的四氯化硅提纯塔分离三氯化磷后,再与SiCl4(Ⅱ)及SiCl4(Ⅲ)一起进入氮化硅合成炉。
        The thermodynamic analysis of chemical reactions in silicon nitride CVD synthesis system from silicon tetrachloride was carried out with Gibbs free energy theory.The results show that silicon nitride synthesized at 1 500Kabove has a higher purity.The source and main impurities of silicon tetrachloride are compared.Silicon tetrachloride is comprehensively utilized by the processes including removal of phosphorus trichloride from SiCl4(Ⅰ)in silicon tetrachloride rectification tower and synthesis of silicon nitride in synthesizing tower from SiCl4(Ⅰ),SiCl4(Ⅱ)and SiCl4(Ⅲ).

引文

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