高创新产品忆阻器技术机理探讨

详细信息    查看全文 | 推荐本文 |

英文篇名：High Innovation Product Memory Resistor 作者：于凌宇 ; 刘夏飞 英文作者：Lingyu Yu;Xiafei Liu;Puyang College of Engineering,Henan University;Puyang Municipal People's Air Defense Office; 关键词：忆阻器 ; 记忆元件 ; 材料 ; 结构 ; 技术机理 ; 科技革命 英文关键词：Memory resistor;;Memory element;;Material;;Structure;;Technology mechanism;;Scientific and technological revolution 中文刊名：GYJS 英文刊名：Industrial Technology Innovation 机构：河南大学濮阳工学院;濮阳市人民防空办公室; 出版日期：2015-12-25 出版单位：工业技术创新 年：2015 期：v.02;No.11 语种：中文; 页：GYJS201506011 页数：5 CN：06 ISSN：10-1231/F 分类号：58-62

摘要

该文阐述了忆阻器的内涵,研究了其材料、结构及技术机理,探讨了它突破芯片技术极限,推动电子科技进步和电子工业腾飞的重大革命性和战略性意义。
        This paper explains the connotation of the memory resistor, the material, structure and technique mechanism of the memory resistor are studied, It discusses the breakthrough of the chip technology limit on the memory resistor, the great revolutionary and strategic significance of promoting the development of Electronic Science and technology progress and electronic industry take off.

引文

[1]记忆电阻器[DB/OL].中国百科网主页/电子元器件/电阻器,http://www.chinabaike.com/t/30888/2015/1005/3450673.html,2015-10-05.
    [2]李超辈.基于记忆元件的突触电路研究[D].重庆:重庆大学计算机学院,2013,4:1-57.
    [3]李绍荣.评《脉冲控制忆阻模拟存储器》[J].电子科技大学学报,2011,40(5):641
    [4]方陵生.记忆电阻器与人工智能[J].世界科学,2009,(10):17-20.
    [5]我院本科生在ACS Nano撰文报道记忆电感器件[EB/OL].清华大学材料学院网主页/重要新闻,http://www.tsinghua.edu.cn/publish/mse/142/2014/20141008110033278970243/20141008110033278970243_html,2014-10-12.
    [6]程舸,郭媛.忆阻器取代晶体管引全球技术竞赛中国严重落后[N].中国科学报,2013-07-24.