安森美半导体的碳化硅(SiC)二极管提供更高能效、更高功率密度和更低的系统成本

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	中文刊名：BDXX 英文刊名：Semiconductor Information 出版日期：2019-06-15 出版单位：半导体信息 年：2019 期：No.216 语种：中文; 页：BDXX201903006 页数：2 CN：03 分类号：11-12

摘要

<正>安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新650V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗,并轻松实现器件并联。安森美半导体最新发布的650VSiC二极管系列提供6A到50A的表面贴
        

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