GaN基量子阱蓝光LED的光学特性研究

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	作者：蒋永志 ; 刘凤娇 关键词：Ga ; N ; LED ; 量子阱 ; 光致发光谱 ; 辐射复合 中文刊名：GSKJ 英文刊名：Gansu Science and Technology 机构：国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心; 出版日期：2015-08-15 出版单位：甘肃科技 年：2015 期：v.31 语种：中文; 页：GSKJ201515015 页数：4 CN：15 ISSN：62-1130/N 分类号：42-45

摘要

在5.6K和300K温度下,Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱表现出不同的发光特性。分析结果表明:5.6K温度下,量子限制斯塔克效应是Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱变化的主要原因;300K温度下,非辐射复合首先影响Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱,非辐射复合被屏蔽后,量子限制斯塔克效应成为Ga N基量子阱蓝光LED的光致发光谱变化的主要原因。
        

引文

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