SiC MOSFET驱动电路的设计

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	作者：李小娜 ; 李艳娜 关键词：SiC ; MOSFET ; 驱动电路 ; Boost升压电路 中文刊名：DZRU 英文刊名：Electronic Technology & Software Engineering 机构：山西交通职业技术学院; 出版日期：2019-04-28 14:07 出版单位：电子技术与软件工程 年：2019 期：No.154 语种：中文; 页：DZRU201908062 页数：1 CN：08 ISSN：10-1108/TP 分类号：98

摘要

本文对SiCMOSFET的驱动电路进行了优化设计,并采用Boost主电路对该驱动电路进行验证。结果表明,SiCMOSFET具有较快的开关速度。相比SiMOSFET,工作频率为100kHz,上升时间由70ns减小到40ns,下降时间由100ns减小到10ns。
        

引文

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