抑制GaN变换器振铃的高频驱动电路设计

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英文篇名：Research on the Voltage Oscillation Suppression Design of High Frequency Drive Circuit of GaN Power Converter 作者：陈哲 ; 崔龙然 ; 刘春强 ; 骆光照 英文作者：CHEN Zhe;CUI Long-ran;LIU Chun-qiang;LUO Guang-zhao;Northwestern Polytechnical University; 关键词：氮化镓功率器件 ; 高频驱动 ; 电压振铃 英文关键词：gallium nitride power device;;high frequency drive;;voltage oscillation 中文刊名：DLDZ 英文刊名：Power Electronics 机构：西北工业大学; 出版日期：2019-06-20 出版单位：电力电子技术 年：2019 期：v.53;No.319 基金：陕西省基础研究计划(2018JQ5187);; 陕西省重点研发计划国际科技合作计划(2017KW-ZD-05)~~ 语种：中文; 页：DLDZ201906035 页数：4 CN：06 ISSN：61-1124/TM 分类号：131-133+139

摘要

针对氮化镓(GaN)功率器件在高频应用中因寄生参数带来的输出电压振铃问题,这里研究了驱动电路寄生参数和栅极驱动阻抗匹配影响GaN变换器振荡的机理。从驱动电路优化设计出发,提出了抑制开关器件电压振铃的解决办法。仿真和实验结果验证了所提方法的有效性。
        Aiming at the problem of output voltage oscillation caused by parasitic parameters in high frequency applications of gallium nitride(GaN)power devices,the mechanism of driving circuit parasitic parameters and gate drive impedance matching affecting the oscillation of GaN converter is studied.The solutions arising from the drive circuit optimization design for voltage oscillation suppression are proposed.Finally,the simulation and experimental results confirmed the effectiveness of proposed solutions.

引文

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