60GHz CMOS片上巴伦及功率放大器设计
详细信息    查看全文 | 推荐本文 |
  • 英文篇名:Design of 60GHz CMOS on-chip Balun and Power Amplifier
  • 作者:张峻齐 ; 王志刚
  • 英文作者:Junqi Zhang;Zhigang Wang;College of electronic engineering,University of Electronic Science and Technology of China;
  • 关键词:60GHz ; 片上巴伦 ; 功率放大器 ; CMOS
  • 英文关键词:60GHz;;On-chip Balun;;Power Amplifier;;CMOS
  • 中文刊名:DKJS
  • 英文刊名:Electronic Science & Technology
  • 机构:电子科技大学电子工程学院;
  • 出版日期:2017-03-10
  • 出版单位:电子科学技术
  • 年:2017
  • 期:v.04;No.17
  • 语种:中文;
  • 页:DKJS201702002
  • 页数:5
  • CN:02
  • ISSN:10-1251/TN
  • 分类号:10-14
摘要
本文介绍了一种60GHz频段的片上巴伦及应用其与匹配部分的功率放大器设计过程。首先介绍了阻抗匹配部分使用的片上巴伦结构,采用调节中间抽头位置的方法来补偿巴伦的不平衡,仿真结果表明其幅度不平衡度为0.06dB,相位不平衡度为1.3°,损耗为2.1dB。并讨论了将该结构应用于该频段下功率放大器匹配连接部分的方法,最后验证了巴伦仿真的准确度问题。
        This paper introduces a on-chip balun for 60 GHz and power amplifier which used it for impedance matching, method of tuning the position of center-tap is proposed to compensate for the imbalance of the balun. The simulation results show the amplitude imbalance is 0.06 d B, phase imbalance is 1.3°, insertion loss is 2.1d B. How to use this balun structure into the matching part of power amplifier for this frequency is also discussed. Finally, the accuracy of balun simulation is verified.
引文
[1]Aoki I,Kee S D,Rutledge D B,et al.Distributed active transformer-a new power-combining and impedancetransformation technique[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques,2002,50(1):316-331.

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有 京ICP备05064691号 京公网安备11010802017129号

地址:北京市海淀区学院路29号 邮编:100083

电话:办公室:(+86 10)66554848;文献借阅、咨询服务、科技查新:66554700