基于气敏元件的ZnO薄膜的RF制备及表征

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	作者：李超 关键词：ZnO薄膜 ; 磁控溅射 ; 气敏元件 ; 电阻率 中文刊名：SDGJ 英文刊名：Shandong Industrial Technology 机构：遵义医学院医学信息工程学院; 出版日期：2018-08-17 出版单位：山东工业技术 年：2018 期：No.272 语种：中文; 页：SDGJ201818042 页数：2 CN：18 ISSN：37-1222/T 分类号：53-54

摘要

本文用RF磁控溅射的方法在Si片上沉积ZnO薄膜,探讨了衬底温度、氧氩比和退火处理和薄膜的结晶速率、结晶质量和电阻率的关系,为沉积符合气敏元件的ZnO敏感薄膜提供研究参考。
        

引文

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