金刚石薄膜二次电子发射性能的研究
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- 论文作者：魏孔庭 ; 魏强 ; 吴胜利
- 年：2016
- 作者机构：西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室;
- 会议召开时间：2016-08-23
- 会议录名称：2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）
- 语种：中文
- 分类号：TN304
- 学会代码：ZKDZ
- 会议名称：2016真空电子学分会第二十届学术年会
- 会议地点：中国福建厦门
- 主办单位：中国电子学会真空电子学分会、微波电真空器件国家级重点实验室
- 学会名称：中国电子学会真空电子学分会
- 页数：5
- 文件大小：766k
- 原文格式：D
- 会议级别：全国
摘要
CVD法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射。本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度对金刚石薄膜质量及形貌的影响,同时研究了所制备金刚石薄膜的二次电子发射特性。实验结果表明,金刚石薄膜的质量和形貌随衬底温度的改变而变化,当衬底温度为1050℃时,金刚石薄膜的二次电子发射系数最高,在200eV电子入射条件下所测得的二次电子发射系数达到5。
引文
1.J.E.Yater,A.Shih and R.Abrams,Applied Surface Science 146(1-4),341-346(1999).
2.A.Hoffman,M.Folman and S.Prawer,Physical Review B 44(9),4640(1991).
3.I.L.Krainsky,V.M.Asnin,G.T.Mearini and J.A.Dayton,Physical Review B 53(12),R7650-R7653(1996).
4.G.T.Mearini,I.L.Krainsky,Y.X.Wang,J.A.Dayton,R.Ramesham and M.F.Rose,Thin Solid Films 253(1),151-156(1994).
5.G.T.Mearini,I.L.Krainsky,J.A.Dayton,Y Wang,C.A.Zorman,J.C.Angus,R.W.Hoffman and D.F.Anderson,Applied Physics Letters 66(2),242-244(1995).
6.J.E.Yater,A.Shih and R.Abrams,Journal of Vacuum Science&Technology A 16(3),913-918(1998).
7.D.M.Trucchi,C.Scilletta,E.Cappelli,P.G.Merli,S.Zoffoli,G.Mattei and P.Ascarelli,Diamond and Related Materials 15(4-8),827-832(2006).
8.J.Buhler and Y Prior,Journal of Crystal Growth 209(4),779-788(2000).
9.C.Nrgard,S.S.Eskildsen and A.Matthews,Surface and Coatings Technology 74,358-361(1995).
10.W.Chen,X.Lu,Q.Yang,C.Xiao,R.Sammynaiken,J.Maley and A.Hirose,Thin Solid Films515(4),1970-1975(2006).
11.A.Shih,J.Yater,P.Pehrsson,J.Butler,C.Hor and R.Abrams,Journal of Applied Physics 82(4),1860-1867(1997).
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