摘要
<正>利用PECVD技术构建镶嵌于SiO_xN_y基质的高密度硅量子点,通过调节SiO_xN_y基质中的O与N的含量,调控硅量子点的表面态,研究其近红外发光特性。研究表明,N含量的适当增加有利于提高硅量子点表面O-Si-N相关表面态,进而极大增强硅量子点的近红外光发射强度,其光发射效率可提高1个数量级以上。荧光寿命分析表明,随N含量的增加,荧光寿命从50ms缩短至2ms。在以上研究
引文
1.X.Wang,R.Huang,C.Song,Y.Guo,and J.Song,Appl.Phys.Lett.102(8),081114(2013).
2 .R.Huang,Z.Lin,Z.Lin,et al,”IEEE J.Sel.Top.Quantum Electron.20(4),8200306(2014).