基于氮、氧修饰的高密度硅量子点的近红外光发射调控与光增益特性

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• 论文作者：林泽文 ; 林圳旭 ; 黄锐 ; 张毅 ; 宋捷 ; 李红亮 ; 徐骏 ; 陈坤基
• 年：2017
• 作者机构：韩山师范学院材料科学与工程学院;南京大学电子科学与工程学院;
• 会议召开时间：2017-05-25
• 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
• 语种：中文
• 分类号：O471.1
• 学会代码：XMJS
• 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 会议地点：中国福建厦门
• 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
• 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
• 页数：1
• 文件大小：332k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

<正>利用PECVD技术构建镶嵌于SiO_xN_y基质的高密度硅量子点,通过调节SiO_xN_y基质中的O与N的含量,调控硅量子点的表面态,研究其近红外发光特性。研究表明,N含量的适当增加有利于提高硅量子点表面O-Si-N相关表面态,进而极大增强硅量子点的近红外光发射强度,其光发射效率可提高1个数量级以上。荧光寿命分析表明,随N含量的增加,荧光寿命从50ms缩短至2ms。在以上研究

引文

1.X.Wang,R.Huang,C.Song,Y.Guo,and J.Song,Appl.Phys.Lett.102(8),081114(2013).
    2 .R.Huang,Z.Lin,Z.Lin,et al,”IEEE J.Sel.Top.Quantum Electron.20(4),8200306(2014).