MgO/Au复合薄膜的表面形貌及其二次电子发射特性的研究
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- 论文作者：李洁 ; 胡文波 ; 华星 ; 郝玲
- 年：2016
- 作者机构：西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室;
- 论文关键词：表面电荷积累 ; MgO/Au复合薄膜 ; NiO缓冲层 ; 表面平整度
- 会议召开时间：2016-08-23
- 会议录名称：2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）
- 语种：中文
- 分类号：TN304.2
- 学会代码：ZKDZ
- 会议名称：2016真空电子学分会第二十届学术年会
- 会议地点：中国福建厦门
- 主办单位：中国电子学会真空电子学分会、微波电真空器件国家级重点实验室
- 学会名称：中国电子学会真空电子学分会
- 页数：4
- 文件大小：706k
- 原文格式：D
- 会议级别：全国
摘要
在电子束持续轰击下由于表面电荷积累,MgO薄膜的二次电子发射系数会随着时间逐渐减小,掺入Au能有效地提高薄膜的导电性,抑制表面电荷积累效应,改善其二次电子发射特性。本文采用反应磁控溅射法制备了MgO/Au复合薄膜,研究了氧化镍(NiO)缓冲层对复合薄膜表面形貌的影响以及逐层渐变的Au靶溅射功率对复合薄膜表面形貌和二次电子发射特性的影响。研究表明,NiO缓冲层的加入有利于不锈钢衬底表面平整度的提高和MgO晶粒的生长;Au靶溅射功率由底层至顶层逐渐减小的方法能控制MgO/Au复合薄膜中Au的含量,减小Au对MgO晶粒生长的抑制作用,提高复合薄膜的二次电子发射特性。
引文
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[5]朱道云,郑昌喜,王明东,等.脉冲偏压作用下MgO薄膜表面的荷电效应[J].真空科学与技术学报,2012,32(01):48-52.
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