复杂屏蔽体中硅器件吸收剂量的测量
详细信息    查看官网全文
摘要
介绍了氟化锂热释光探测器在复杂屏蔽体中硅器件X射线吸收剂量测量中的应用。分析了该屏蔽体内X射线剂量分布特点,介绍了热释光探测器的特点及使用情况,进行了氟化锂和硅材料吸收剂量的换算,给出了屏蔽体内硅器件吸收剂量的测量结果。此方法可用于加屏蔽体的半导体器件X射线辐照在线考核。
This paper describes application of the LiF TLDs on the measurement of X-ray absorbed dose in a complex closed shielding cavity.The distribution of X-ray absorbed dose in the cavity is discussed. The characteristics and use of the Li F TLDs are introducted. How getting the absorbed dose of silicon from Li F's is discussed.Results of the dose in the cavity are given.The method can be applied on the measurement of on-line electronic components irradiation.
引文
[1]赖祖武,等.抗辐射电子学-辐射效应及加固原理[M].北京:国防工业出版社,1998:296.
    [2]罗尹虹,等.Kovar封装COMS器件X射线剂量增强效应研究[J].核电子学与探测技术,2005,25(6):845-849.
    [3]D.M.Long,D.G.Millward,IEEETrans.Nus.Sci.,NS-29(1982),1980.
    [4]王桂珍.总剂量辐射效应中的辐射源及剂量测量[J].微电子学,2001,31(3):168-172.
    [5]王寿山.热释光剂量计的研究、发展及现状[C].第七届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集,1998:37.
    [6]陈霓.热释光探测器及其应用[M].北京:原子能出版社,1982:24.
    [7]唐开勇.LiF热释光探测器研究[C]//全国医用辐射防护与安全学术研讨会,2004:132-135.GB/T 15447-2008.X、γ射线和电子束辐照不同材料吸收剂量的换算方法[S].北京:中国标准出版社,2009.

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有 京ICP备05064691号 京公网安备11010802017129号

地址:北京市海淀区学院路29号 邮编:100083

电话:办公室:(+86 10)66554848;文献借阅、咨询服务、科技查新:66554700