PbI_2异质盖板辅助退火制备高品质CH_3NH_3PbI_3薄膜
详细信息    查看官网全文
摘要
对于CH_3NH_3PbI_3太阳电池,制备高品质(晶粒大、晶界少)的CH_3NH_3PbI_3薄膜对于提升组装的电池器件的效率是至关重要的。但是,目前制备CH_3NH_3PbI_3薄膜最常用的一步法很难实现上述目标,因而还需要进一步的优化。在本工作中,我们提出了PbI_2异质盖板辅助退火的方法来制备高品质的CH_3NH_3PbI_3薄膜—即在CH_3NH_3PbI_3前驱薄膜退火时加盖一层PbI_2异质盖板。盖板辅助退火的方法之前被报道用于其他的功能材料比如多晶硅、氧化锌等,且所用盖板薄膜多为同质材料。而经过研究我们发现,异质的PbI_2盖板辅助退火对于CH_3NH_3PbI_3薄膜同样非常有效。对经过PbI_2异质盖板辅助退火之后得到的CH_3NH_3PbI_3薄膜进行X射线衍射和扫描电子显微镜表征发现,这些薄膜具有更大的晶粒和更好的晶粒取向性(110取向)。而对其进行时间分辨荧光光谱研究则进一步发现,光生载流子的产生和迁移的效率明显得到了提升。而正是这些改进使得最终组装的电池的最优效率和平均效率都获得了极大地提升。这说明我们提出的PbI_2异质盖板辅助退火的方法不仅是有效的,而且具有可重复性。而对于PbI_2异质盖板辅助退火有效的原因,我们认为主要是两个方面:其一,由于在退火之前CH_3NH_3PbI_3前驱薄膜中仍然残留DMF和DMSO溶剂分子,加盖PbI_2异质盖板之后这些溶剂分子不是简单的扩散到空气当中,而是被异质盖板吸收然后缓慢释放,相当于在界面处存在一个液相凝聚的过程,这样会大大降低成核密度,因而可以得到较大的晶粒。其二,异质盖板中的PbI_2分子会被DMF和DMSO溶解从而向下扩散进入CH_3NH_3PbI_3薄膜,从而形成一个类似的Oswald熟化过程,使得小晶粒被大晶粒吞并,使得后者进一步的长大。
引文
[1]Yangrunqian Wang,Tao Yu*,Zhigang Zou,et al.,Chem.Comm.,2017,53,5032-5035

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有 京ICP备05064691号 京公网安备11010802017129号

地址:北京市海淀区学院路29号 邮编:100083

电话:办公室:(+86 10)66554848;文献借阅、咨询服务、科技查新:66554700