摘要
建立12kV真空灭弧室的二维模型,利用有限元法计算和分析真空灭弧室内的电位和电场分布,给出了动、静触头沿面以及悬浮屏蔽罩沿面的场强分布曲线,给出了真空灭弧室的动静触头沿面及悬浮屏蔽罩表面的电场分布。仿真结果表明:真空灭弧室内的电位分布均匀,在动静触头表面的拐弯处和悬浮电极的弯曲处的电力线比较集中,而动静触头及悬浮屏蔽罩沿面的场强最大值出现在拐弯处,而动静触头沿面及悬浮屏蔽罩之间出现不均匀的电场,将会导致触头间隙的击穿,导致真空断路器开断失败,因此这些位置设计时应给予重视。
引文
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