变温电阻法测量甲铵铅碘在高温下的电学禁带宽度

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• 论文作者：曹焕奇 ; 陈继彤 ; 朱浩 ; 赵祖彬 ; 李今朝 ; 印寿根
• 年：2017
• 作者机构：天津理工大学材料科学与工程学院显示材料与光电器件教育部重点实验室&天津市光电显示材料与器件重点实验室;
• 论文关键词：原位电学分析 ; 钙钛矿 ; 禁带宽度 ; 高温
• 会议召开时间：2017-05-27
• 会议录名称：第四届新型太阳能电池学术研讨会论文集
• 英文会议录名称：Abstract Book of the 4th Conference on New Generation Solar Cells
• 语种：中文
• 分类号：TN304
• 学会代码：ZKYQ
• 会议名称：第四届新型太阳能电池学术研讨会
• 会议地点：中国北京
• 主办单位：中国可再生能源学会光化学专业委员会
• 学会名称：中国科学院物理研究所清洁能源实验室
• 页数：1
• 文件大小：802k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

禁带宽度决定了光伏材料可达到的理论最高效率。有机无机杂化钙钛矿材料的禁带宽度可以通过很多种方法测量,如紫外可见吸收光谱、荧光光谱等。变温光谱学研究表明,与常规半导体不同的是,含铅钙钛矿材料的禁带宽度随温度升高而增加。本征半导体的导电率与禁带宽度、温度存在一定的依赖关系。根据不同温度下半导体的导电率,可以大致推测出其禁带宽度。在对热台装置中,~([1])通过严格控制钙钛矿材料的生成与分解平衡,我们测量了甲铵铅碘钙钛矿薄膜的电阻随温度的变化情况。结果表明:甲铵铅碘在高于80摄氏度的情况下,其电学禁带宽度呈现出先上升后下降的趋势(如下图),与之前我们报道的甲脒铅碘的禁带宽度在高温下的变化趋势一致,~([2])但与其光学禁带宽度随温度的变化趋势相反。出现反常的原因目前尚未得知。我们推测可能是由于缺陷浓度,晶体结构,以及接触电阻随温度的变化。由图可知,Eg在80–110 ℃区间的变化趋势呈现出一定的可重复性。

引文

[1]X.Chen,H.Cao,H.Yu,H.Zhu,H.Zhou,L.Yang,and S.Yin,J.Mater.Chem.A 4,9124(2016).
    [2]H.Zhu,Z.Zhao,H.Cao,H.Yu,J.Li,X.Chen,S.Dong,L.Yang,and S.Yin,Optoelectron.Lett.12,337(2016).