高低位置过渡法刻度探测器表面位置效率

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• 论文作者：章剑华 ; 向永春 ; 胡广春 ; 伍怀龙 ; 王红侠 ; 侯建平 ; 胡根 ; 储诚胜 ; 曾军 ; 迮仁德 ; 丁阁 ; 张昌繁
• 年：2014
• 作者机构：中国工程物理研究院核物理与化学研究所;
• 会议召开时间：2014-08-13
• 会议录名称：第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集
• 语种：中文
• 分类号：TL81
• 学会代码：HDZX
• 会议名称：第十七届全国核电子学与核探测技术学术年会
• 会议地点：中国甘肃兰州
• 主办单位：中国电子学会、中国核学会核电子学与核探测技术分会
• 学会名称：中国电子学会核电子学与核探测技术分会
• 页数：5
• 文件大小：462k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

由于级联符合相加效应的影响,当刻度用的标准源核素种类与待测核素不同时,无法直接得到HPGe探测器表面位置处感兴趣γ射线的效率。采用反应堆辐照U_3O_8样品生产~(88)Kr,并制备成活性炭钢盒源。利用标准源刻度探测器较高位置处效率曲线,通过高低位置过渡的方法,得到探测器表面位置的效率。

引文

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