聚乙烯咔唑共价修饰的硫化钼激光防护材料的合成

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• 论文作者：白婷 ; 张斌 ; 陈彧
• 年：2016
• 作者机构：华东理工大学化学与分子工程学院教育部结构可控先进功能材料及其制备重点实验室;
• 会议召开时间：2016-11-01
• 会议录名称：2016年全国高分子材料科学与工程研讨会论文摘要集
• 语种：中文
• 分类号：TB34
• 学会代码：ZGHY
• 会议名称：2016年全国高分子材料科学与工程研讨会
• 会议地点：中国广西桂林
• 主办单位：中国化学会、中国机械工程学会、中国材料研究学会
• 学会名称：中国化学会
• 页数：1
• 文件大小：151k
• 原文格式：O
• 会议级别：全国

摘要

<正>作为类石墨烯二维材料的一种,MoS_2纳米片具有较大的平面内载流子迁移率(200~500cm~2V~(-1)s~(-1))、较小的间接带隙(1.2~1.9 eV)、较高的光致发光量子效率、较大的比表面积和良好的光电化学稳定性等优点,在场效应晶体管、非线性光学、光催化、太阳能电池、纳米光子学等领域展现出潜在的应用价值~([1-3])。本文利用预先合成的MoS_2-DDAT RAFT试剂首次原位合成了聚乙烯咔唑(PVK)共价修饰的MoS_2纳米功能材料(MoS_2-PVK)。与MoS_2纳米片和MoS_2/PVK

引文

[1]D.Lembke,S.Bertolazzi,A.Kis,Acc.Chem.Res.2015,48,100-110.
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