GaAs在Pt/GaAs/电解液三相界面自发的阳极腐蚀现象
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- 英文论文题名：Spontaneous Corrosion of GaAs at 3-Phase Interface between Platinum,GaAs and Electrolyte Solution
- 论文作者：张琳 ; 詹东平
- 英文论文作者：Lin Zhang ; Dongping Zhan ; State Key Laboratory for Physical Chemistry of Solid Surfaces ; Department of Chemistry ; College of Chemistry and Chemical engineering ; Xiamen University
- 年：2016
- 作者机构：厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室福建;
- 论文关键词：GaAs ; 半导体腐蚀 ; 三相界面
- 会议召开时间：2016-07-01
- 会议录名称：中国化学会第30届学术年会摘要集-第二十九分会：电化学材料
- 语种：中文
- 分类号：O646.1
- 学会代码：ZGHY
- 会议名称：中国化学会第30届学术年会-第二十九分会 ; 电化学材料
- 会议地点：中国辽宁大连
- 主办单位：中国化学会
- 学会名称：中国化学会
- 页数：1
- 文件大小：173k
- 原文格式：D
- 会议级别：全国
摘要
砷化镓(GaAs)在半导体家族中已迅速成长为仅次于硅的最重要的半导体电子材料,在微/纳米领域里有着广泛的应用~([1])。砷化镓中电子具有很高的迁移率,禁带宽度大,能带结构属直接跃迁型,光转换效率明显高于其他半导体材料~([2]),具有广阔的应用前景。我们发现在Pt与GaAs接触形成的肖特基结与KMnO_4溶液体系(40mM KMnO_4、1.84M H_2SO_4)所形成的三相界面上,GaAs会发生自发的阳极腐蚀;而且,由于半导体的光电效应,光照会加剧这一腐蚀过程。这一物理化学现象在GaAs能源和传感器件中具有潜在的应用价值。
We find the spontaneous corrosion of GaA s at 3-Phase Interface between Platinum, Ga As and Electrolyte Solution. We investigate this process with electrochemical methods such as OCP、linear sweep voltammetry and Tafel curves. We also found that photoelectric effect can accelerate this process.
We find the spontaneous corrosion of GaA s at 3-Phase Interface between Platinum, Ga As and Electrolyte Solution. We investigate this process with electrochemical methods such as OCP、linear sweep voltammetry and Tafel curves. We also found that photoelectric effect can accelerate this process.
引文
[1]Zhang,S.;Li,S.;Zhou,W.;Zheng,L.Chem.Phys.2011,135:14304.
[2]Hjort,K.;Soderkvist,J.;Schweitz,J.A.J.Micromech.Microeng.1994,4:1-13.
[3]查全性.电极过程动力学导论[M].科学出版社,2002.137-141
[2]Hjort,K.;Soderkvist,J.;Schweitz,J.A.J.Micromech.Microeng.1994,4:1-13.
[3]查全性.电极过程动力学导论[M].科学出版社,2002.137-141