铜辅助化学腐蚀制备微纳米多孔硅

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• 论文作者：黄燕华 ; 韩响 ; 陈松岩
• 年：2017
• 作者机构：集美大学诚毅学院;厦门大学物理系半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心;
• 会议召开时间：2017-05-25
• 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
• 语种：中文
• 分类号：TN304.12
• 学会代码：XMJS
• 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 会议地点：中国福建厦门
• 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
• 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
• 页数：1
• 文件大小：191k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

本文采用铜作为催化剂,两步化学腐蚀法成功制备了微纳米多孔硅结构。该法具有成本低廉、操作简易的特点。系统研究了腐蚀液中H_2O_2浓度、硅衬底掺杂浓度、腐蚀液温度和腐蚀时间对多孔硅形貌和腐蚀深度的影响。从有效空穴量角度出发分析解释了H_2O_2浓度对腐蚀过程的影响,而硅衬底掺杂缺陷影响了铜颗粒在硅表面的沉积,从而影响硅衬底发孔状态和孔洞形貌。在25℃腐蚀液中,腐蚀2h得到~200nm深的纳米级孔洞,其反射率在宽波段内降低到5%以下。而在50℃腐蚀液中,经过2h~4h的腐蚀,可得到14um~41um深的结构稳定的微纳米级孔洞。文中还对铜助腐蚀与其他金属辅助腐蚀作了对比,分析了铜助腐蚀获得锥状孔洞的原因。

引文