摘要
通过热蒸发法蒸镀超薄氧化钨薄膜,成功构建具有WO_(3-x)/Si异质结纳米光电传感器,器件显示出自驱动、高灵敏、宽光谱、快速响应等特征。通过对异质结界面进行H化和CH_3化处理,发现CH_3处理调控能显著拓宽器件带宽、增强光电响应性能。同时,我们还系统研究了不同微纳结构对异质结光电器件的影响规律,揭示微纳结构和界面钝化对WO_(3-x)/Si光电器件性能增强的微观机理。
引文
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