基于MOS电阻阵的外场目标特性模拟方法
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摘要
针对外场测试数据进行处理,通过"采样-拟合-还原"方法获取内场模拟数据;基于MOS电阻阵红外目标模拟器,实现半实物仿真中外场红外目标特性的模拟。
This article presents a way to analyze the target data of field test, and reconstruct the images in laboratory, using "sampling-fitting-restoration" method. And these images are used in 256×256 MOS Resistor Array to simulate infrared target during Hardware-in-the-loop Simulation.
引文
[1]张凯,马斌,黄勇,孙力,闫杰.256分辨率电阻阵性能测试及非线性校正方法,红外与激光工程[J],2012年第11期。
    [2]黄勇,吴根水,赵松庆,李睿.256×256元MOS电阻阵驱动方法研究,航空兵器[J],2013年第6期。
    [2]Moyer,Steven K.;Driggers,Ronald G.,Mid-wave infrared target source characteristics for focal plane applications,SPIE Volume:4719 7/2002,pages 63-71。
    [3]李奇,冯晓晨,张励.MOS电阻阵红外图像转换器性能测试,红外与激光工程[J],2008增刊。

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