摘要
<正>硅与III-V族激光器混合集成是目前实现硅基激光最有效且最有可能实现实用化的方案之一。本课题组和北京大学合作,采用选区金属键合的方案已经实现了几种硅基激光器,其中最具代表性的结构是掩埋脊波导(Buried Ridge Waveguide:BRS)硅基键合激光器[1],并通过在硅波导上刻蚀DBR光栅的方法,利用光栅的反馈作用进行选模并获得硅基上的单模输出[2]。但是光栅结构需要
引文
[1]L.J.Yuan,L.Tao,W.Chen,Y.Li,D.Lu,S.Liang,H.Yu,G.Ran,J.Pan,W.Wang,“A buried ridge stripe structure In Ga As P-Si hybrid laser,”IEEE Photon.Technol.Lett,vol.27,no.4,pp.352-355,Feb.2015.
[2]L.Tao,L.Yuan,et al.,“4-Lambda In Ga As P-Si distributed feedback evanescent lasers with varying silicon waveguide width,”Optics Express,Vol.22,pp 5448,2014.
[3]M.K.Li,L.Zhang,H.Yu,L.Yuan,Q.Kan,W.Chen,Y.Ding,S.Li,J.Mi,G.Ran,J.Pan,“A hybrid single-mode laser based on slotted silicon waveguides,”IEEE Photon.Technol.Lett,vol.28,no.9,pp.967-970,May.2016.