MgO修饰TiO_2纳米线作为光阳极的光电化学电池
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摘要
利用一种简单的两步水热法直接在FTO衬底上垂直生长一种长32nm左右的TiO_2/MgO异质结纳米线阵列,以这种纳米线阵列为阳极制备了一种新型的光电化学电池。在365nm波长的光照下,与未修饰的纯TiO_2纳米线阵列相比,新型的光电化学电池有更高光电流密度及开路电压。对基于TiO_2/MgO异质结纳米线阵列的光电化学电池来说,最高的响应度可以达到0.233 AW ~1,对于基于TiO_2纳米结构的光阳极的光电化学电池来说是相当高的。另外,这个光电化学电池也表现出很高的开关比(14879)、较快的响应速度等特性。提升这些性能的主要原因是光阳极/电解质界面处的光生电子与电解质中I_3离子的复合受到了抑制。另外,MgO的碱性高于TiO_2,表现出更高的等电点,从而提神了开路电压。这种新型的异质结构纳米线基光电化学电池为光催化及染料敏化太阳能电池的研究提供帮助。
引文

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