二硫化钼薄膜制备及其在硅基异质结太阳能电池中的应用

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• 论文作者：张彬 ; 张瑜 ; 米建松 ; 于威 ; 丛日东
• 年：2017
• 作者机构：河北大学物理科学与技术学院;
• 论文关键词：MoS2薄膜 ; 磁控溅 ; MoS2/Si异质结太阳电池 ; MoOx缓冲层
• 会议召开时间：2017-05-27
• 会议录名称：第四届新型太阳能电池学术研讨会论文集
• 英文会议录名称：Abstract Book of the 4th Conference on New Generation Solar Cells
• 语种：中文
• 分类号：TM914.4
• 学会代码：ZKYQ
• 会议名称：第四届新型太阳能电池学术研讨会
• 会议地点：中国北京
• 主办单位：中国可再生能源学会光化学专业委员会
• 学会名称：中国科学院物理研究所清洁能源实验室
• 页数：1
• 文件大小：1052k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

二维MoS_2的强光学吸收和高载流子迁移特性,使其在新型光伏器件应用方面极具潜力。本工作采用磁控溅射沉积并结合等离子体退火技术制备MoS_2薄膜(图1),研究低缺陷密度MoS_2薄膜的低温沉积工艺;研究了界面缺陷对p-Si/MoS_2异质结光伏特性影响。采用SiO_x为界面介质层设计了p-Si/SiO_x/MoS 2结构的太阳能电池,器件转换效率为3.15%;通过引入MoO_x层降低MoS_2初始生长缺陷,电池开压、FF因子,内建电势和载流子收集效率都得到显著提升,电池转换效率4.62%(图2)。

引文

[1]Li X,Li X,Nanoscale,2015,Role of hydrogen in the chemical vapor deposition growth of Mo S2atomic layers,7(18):8398-8404.
    [2]Hao L Z,Gao W,Nanoscale,2015,High-performance n-Mo S2/i-Si O2/p-Si heterojunction solar cells,7(18):8304-8308.