中温烧结无铅X8R陶瓷的研究
|
摘要
片式多层陶瓷电容器（MLCC）是目前电子信息技术中非常重要的电子元器件之一。其中以BaTiO_3为基的X8R的研究较为广泛，其产品已经用于电子通讯、汽车电子、航天航空等行业。但现在多数的X8R瓷料中均含重金属Pb，其对人体和环境有着极大的危害。本论文在无铅的前提下，以BaTiO_3陶瓷为基础，研究了三种添加剂以及制备工艺对陶瓷介电性能的影响。
一方面，在体系中掺入添加剂MnCO_3、ZnO和Bi_2O_3，分别研究了三种添加剂对体系介电性能的影响。结果表明：MnCO_3起到了助溶剂的作用，促进了陶瓷的致密化并有效地减少了体系中晶格缺陷，降低了体系的介电损耗；ZnO的添加有利于晶粒的长大和杂质离子在BaTiO_3晶格中的扩散，减小了非铁电相气孔，使系统的介电常数增大；Bi_2O_3在陶瓷烧结过程中形成液相，有效地降低了体系的烧结温度和介电损耗。
另一方面，研究了制备工艺（球磨时间、保温时间、烧结温度）对体系介电性能的影响。结果表明：增长球磨时间可以使ε-T曲线的居里峰降低；保温时间的增长可以使低温段的介电常数大幅度增加；居里点T_c随着烧结温度的升高向高温方向移动。通过适当调节陶瓷的制备工艺，能够有效地改善系统的介电性能。当球磨时间为200min，烧结温度为1000℃，保温时间为4h时，系统有最佳的介电性能：在1kHZ下测试，室温介电常数ε≥2872.9，损耗tanδ≤1.3%，介电常数变化率|Δε/ε|≤15%，体绝缘电阻率ρv≥1.8×10~(13)Ω·mm。
Multilayer ceramic capacitor (MLCC) is one of electronic components，which isvery important in electronic information technology now. BaTiO_3-based X8R，whichis a kind of MLCC，is studied widely and its products has been used to electroniccommunications，automotive electronics，aerospace and other industries. But nowmost of X8R ceramic materials contain heavy metal lead，which is greatly harmful toour health and our environment. In this paper，the effect of additives and preparingtechnology on dielectric properties of lead-free BaTiO_3-based X8R was investigated.
On one hand，three kinds of additives ( MnCO_3，ZnO，Bi_2O_3 ) were added inBaTiO_3 ceramics，their effects on dielectric properties of system were studied.MnCO_3，which played a role of cosolvent，promoted the densification of ceramics andeffectively reduced lattice defects of the system, so dielectric loss of system wasdecreased. ZnO was helpful to the growth of crystalline grain and the spread ofimpurity ions in BaTiO_3 lattice，reduced the non-ferroelectric phase pore，so thedielectric constant of system was increased. Bi_2O_3 can form liquid phase in thesintering process，so it can reduced effectively sintering temperature and dielectricloss of system.
On the other hand，the effects of preparing technology ( milling time，soakingtime，sintering temperature ) on dielectric properties of system were studied. Theresults indicated that increase of milling time can make Curie peak ofε-T curvedecrease，the dielectric constant of lower temperature greatly increased as increase ofsoaking time，and Curie point T_c shifted to higher temperature direction as rise ofsintering temperature. Through the proper adjustment of preparation technology of theceramics，the dielectric properties of the system were improved effectively. Whenmilling time is 200 min, sintering temperature is 1000℃and soaking time is 4 h, thedielectric properties of system are the best，ε≥2872.9，tanδ≤1.3%，|Δε/ε|≤15%，ρv≥1.8×10~(13)Ω·mm，which are tested in 1 KHz.
一方面，在体系中掺入添加剂MnCO_3、ZnO和Bi_2O_3，分别研究了三种添加剂对体系介电性能的影响。结果表明：MnCO_3起到了助溶剂的作用，促进了陶瓷的致密化并有效地减少了体系中晶格缺陷，降低了体系的介电损耗；ZnO的添加有利于晶粒的长大和杂质离子在BaTiO_3晶格中的扩散，减小了非铁电相气孔，使系统的介电常数增大；Bi_2O_3在陶瓷烧结过程中形成液相，有效地降低了体系的烧结温度和介电损耗。
另一方面，研究了制备工艺（球磨时间、保温时间、烧结温度）对体系介电性能的影响。结果表明：增长球磨时间可以使ε-T曲线的居里峰降低；保温时间的增长可以使低温段的介电常数大幅度增加；居里点T_c随着烧结温度的升高向高温方向移动。通过适当调节陶瓷的制备工艺，能够有效地改善系统的介电性能。当球磨时间为200min，烧结温度为1000℃，保温时间为4h时，系统有最佳的介电性能：在1kHZ下测试，室温介电常数ε≥2872.9，损耗tanδ≤1.3%，介电常数变化率|Δε/ε|≤15%，体绝缘电阻率ρv≥1.8×10~(13)Ω·mm。
Multilayer ceramic capacitor (MLCC) is one of electronic components，which isvery important in electronic information technology now. BaTiO_3-based X8R，whichis a kind of MLCC，is studied widely and its products has been used to electroniccommunications，automotive electronics，aerospace and other industries. But nowmost of X8R ceramic materials contain heavy metal lead，which is greatly harmful toour health and our environment. In this paper，the effect of additives and preparingtechnology on dielectric properties of lead-free BaTiO_3-based X8R was investigated.
On one hand，three kinds of additives ( MnCO_3，ZnO，Bi_2O_3 ) were added inBaTiO_3 ceramics，their effects on dielectric properties of system were studied.MnCO_3，which played a role of cosolvent，promoted the densification of ceramics andeffectively reduced lattice defects of the system, so dielectric loss of system wasdecreased. ZnO was helpful to the growth of crystalline grain and the spread ofimpurity ions in BaTiO_3 lattice，reduced the non-ferroelectric phase pore，so thedielectric constant of system was increased. Bi_2O_3 can form liquid phase in thesintering process，so it can reduced effectively sintering temperature and dielectricloss of system.
On the other hand，the effects of preparing technology ( milling time，soakingtime，sintering temperature ) on dielectric properties of system were studied. Theresults indicated that increase of milling time can make Curie peak ofε-T curvedecrease，the dielectric constant of lower temperature greatly increased as increase ofsoaking time，and Curie point T_c shifted to higher temperature direction as rise ofsintering temperature. Through the proper adjustment of preparation technology of theceramics，the dielectric properties of the system were improved effectively. Whenmilling time is 200 min, sintering temperature is 1000℃and soaking time is 4 h, thedielectric properties of system are the best，ε≥2872.9，tanδ≤1.3%，|Δε/ε|≤15%，ρv≥1.8×10~(13)Ω·mm，which are tested in 1 KHz.
引文
[1]陈永真，李锦，电容器手册，北京：科学出版社，2008
[2]邓湘云，李建保，王晓慧，等，MLCC的发展趋势及在军用电子设备中的应用，电子元件与材料，2006，5(5)：l-6
[3]于凌宇，全球片式电容器技术[J].电子质量，2000,2.
[4]梁力平，赖永雄，李基森，片式叠层陶瓷电容器的制造和材料，广州：暨南大学出版社，2008
[5] Pithan C，Hennings D，Waser R，Progress in the synthesis of nanocrystallineBaTiO_3 powders for MLCC，International Journal of Applied Ceramic Technology，2005，2(1)：1–14
[6]薛泉林，高压陶瓷电容器及其应用新动向[J].电子元件与材料，2000，19(2)：34–37
[7]陈祥冲，黄新友，贱金属内电极多层陶瓷电容器研发进展，材料导报，2004，18(11)：16-18
[8] Sakabe Y，Reynolds T，Base-metal electrode capacitors，American CeramicsSociety Bulletin，2002，81(10)：24-26
[9]孟希敏，刘心宇，周昌荣，无铅压电陶瓷的研究现状与发展趋势，电工材料，2006，3：40-44
[10] Boufrou B，Tetragonal tungsten bronze niobate，K_(0.2)Sr_90.3)NbO_3：a new materialfor eapacitor with fiat dielectric curves，American Ceramics Society Bulletin，1991，74(11)：2809-2814
[11]阮立坚，李龙土，桂治轮，铌镁酸铅系低烧高介X7R瓷料的研究，功能材料，1997，28(2)：140-142
[12] J.Herbert，High-Permittivity Ceramics Sintered in Hydrogen，Trans.Brit.Ceram.Sci.，1963，62：645-653
[13] Daniels J，Hardtl K，Electrical conductivity at hightemperature for donor-dopedbarium titanate ceramics，Philips Res.Reports，1976，31：489
[14] Tennery V J，Cook R L，Investigation of rare-earth doped barium titanate，Journalof the American Ceramic Society，1961，44(4)：187–193
[15] Murakami T，Yamaji A，Dy-doped BaTiO_3 ceramics for high voltage capacitoruse，American Ceramic Society Bulletin，1976，55(6)：572-575
[16] Park Y，Cho K，Kim H G，Effect of external pressure and grain size on the phasetransition in the Gd-doped BaTiO_3 ceramic，Materials Research Bulletin，1997，32(11)：1485-1494
[17] Hiroshi Kishi，Noriyuki Kohzu，Junichi Sugino，et al.，The Effect of Rare-earth(La，Sm，Dy，Ho and Er) and Mg on the Microstructure in BaTiO_3，Journal of theEuropean Ceramic Society，1999，19：1043-1046
[18] Yun-Sung Jung，Eun-Sang Na，A study on the phase transition and characteristicsof rare earth elements doped BaTiO_3，Materials Research Bulletin，2002，37：1633-1640
[19]李波，张树仁等，BaTiO_3-R_2O_3-MgO系介质的稀土掺杂效应，材料研究学报，2008，22，4：433-438
[20]李波，周晓华，张树仁，稀土掺杂对还原烧结钛酸钡陶瓷微结构和电性能的影响，硅酸盐学报，2008，36(3)：277-282
[21]杜旻，袁颖，张树人等，BiNbO_4掺杂对BaTiO_3基陶瓷的改性效应研究，功能材料，2008，4(39)：641-644
[22]薛泉林，新型的高稳定高介X8R，电容器瓷料，2001，34(3)：13-17
[23] Ito，Kazushige，Ceramic electronic device and the production method，美国专利，20080293560
[24] Koebrugge，Gerhardus W，X8R dielectric composition for use with nickelelectrodes，美国专利，20080169530
[25]李言荣，恽正中，电子材料导论，北京：清华大学出版社，2001
[26]李荣标，莫以豪，王筱珍，无机介电材料，上海：上海科学技术出版社，1986：79-87
[27]徐延献，电子陶瓷材料，天津：天津大学出版社，1993
[28]张延平，电子陶瓷材料物化基础，北京：电子工业出版社，1996：45-67
[29]刘梅冬，许毓春，压电铁电材料与器件，武汉：华中理工大学出版社，1990：59-62
[30] Bernard Jaffe，et al.，Piezoelectric Ceramics，London：Academic Press，1971
[31]钟维烈，铁电体物理学，北京：科学出版社，2000
[32] T.Hiramatsu，T.Tamura，et al.，Effects of grain boundary on dielectric propertiesin fine-grained BaTiO_3 ceramics，Materials Science and Engineering，2005，B120：55-58
[33] T.R,Armstrong，R.C.Buchanan，Influence of Core-Shell Grains on theInternal Stress State and Permittivity Response of Zirconia-Modified BariumTitanate，Journal of the American Ceramic Society，1990，73(5)：1268-1273
[34] G.A.Smolensky，Phenomena in Ferroelectrics with Diffuse PhaseTransition，Journal of the Physical Society of Japan，1970，28：26-37
[35] W.R.Buessem，L.E.Cross，A.K.Goswami，Phenomenological Theory of HighPermittivity in Fine-Grained Barium Titanate，Journal of the American CeramicSociety，1966，49(1)：33-36
[36] M.F.Yan，Microstructual Control in the Processing of Electronic Ceramics，Materials Science and Engineering，1981，48：53-72
[37]刘康时等，陶瓷工艺原理，广州：华南理工大学出版社，1984：337
[38] G. Arlt，D. Hennings，and G. de With，Dielectric properties of fine-grain bariumtitanate ceramics，Journal of Applied Physics，1985，58(4)：1619-1625
[39] Kyoichi K，Akihiko Y，Grain-size effects on dielectric properties in bariumtitanate ceramics，Journal of Applied Physics，1976，47(1)：371-373
[40] Lee B. W，Auh K.H，Effect of grain size and mechanical processing on thedielectric properties of BaTiO_3，Journal of American Ceramic Society，1971，54(9)：455-458
[41]方俊鑫，陆栋，固体物理学，上海：上海科学技术出版社，1981
[42]李荣标，莫以豪，王筱珍，无机介电材料，上海：上海科学技术出版社，1986：87-112
[43]梁希侠，班士良，统计热力学，呼和浩特：内蒙古大学出版社，2000
[44]苏汝铿，统计物理学（第二版），北京：高等教育出版社，2006
[45]王升，张树人，周晓华等，BaTiO_3-Nb_2O_5-Ni_2O_3三元系统的介电性能研究，无机材料学报，2006，21(2)：369-374
[46]蒲永平，杨公安，王瑾菲等，BaTiO_3-Nb_2O_5-Fe2O_3陶瓷介电性能的研究，人工晶体学报，2008，37(4)：1029-1032
[47] R. Chen，X. Wang，L. Li，et al.，Effects of Nd/Co ratio on the dielectric propertiesof BaTiO_3-based X7R，Materials Science and Engineering，2003，298-301
[48]苏皓，高温稳定型（125℃、150℃、190℃）高介BaTiO_3系统陶瓷介电材料研究：[博士毕业论文]，天津；天津大学，2006
[49]石随林，张灵振，黄红军等，NiO/BaTiO_3陶瓷复合材料制备与介电性能研究，稀有金属材料与工程，2007，36(z1)：428-430
[50] J. Q. Huang，P. Y. Du，W. J. Weng，et al.，Effect of doped Ni2+ on the dielectricproperties of NiO-BaTiO_3 composites，Journal of Electroceramics，2008，21(1/4)：394-397
[51]田靓，崔斌，掺镍对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响，材料科学与工程学报，2006，24(3)：386-388
[52]单丹，曲远方，张晨等，掺杂CeO_2和CuO对BaTiO_3陶瓷介电性能的影响，稀有金属材料与工程，2005，34(z2)：777-779
[53]杨逢春，降低X7R陶瓷电容器烧结温度的研究：[硕士毕业论文]，成都；电子科技大学，2008
[54]靳正国，戴维迪，苗海龙等，Dy_2O_3和La_2O_3掺杂对BaTiO_3铁电陶瓷介电特性的影响，硅酸盐学报，2001，29(5)：397-401
[55] Li Lingxia，WANG Dapeng，Wu Xiawan，et al.，Effect of Gd_2O_3 and La_2O_3 onBaTiO_3 -Based Ceramics，Rare Earth，2004，22(z3)：170-172
[56]陈慧英，吕亚辉，杨泽玮等，Nd、Ce掺杂BaTiO_3基陶瓷的研制及介电性能研究，中央民族大学学报（自然科学版），2006，15(1)：36-39
[57] Kaizheng Luan，Chengju Zhang，et al.，the effect of rare earth Ce on dielectricproperties of BaTiO_3 ceramic. Rare Earth，1990，2(3)：21-23
[58]王爽，CeO_2掺杂对BaTiO_3系统微观结构及介电性能的影响，天津工程师范学院学报，2010，20(1)：12-14
[59]郝素娥，韦永德，王进福等，Nd2_O_3添加量对BaTiO_3陶瓷介电性能的影响，无机化学学报，2002，18(10)：1042-1044.
[60]李玲霞，明翠，孙晓东等，多种氧化物改性对BaTiO_3介电性能的影响，稀有金属材料与工程，2006，35(7)：1092-1095
[61]郝素娥，韦永德，Sm_2O_3掺杂BaTiO_3陶瓷的结构与电性能研究，无机材料学报，2003，18(5)：1069-1073
[62]王爽，超高温BaTiO_3复合材料铁电机理研究：[博士毕业论文]，天津；天津大学，2010
[63]郝素娥，王进福，朱力勇等，氧化钆对钛酸钡陶瓷结构和介电性能的影响，稀土，2003，24(1)：68-69
[64]郭炜，李玲霞，吴霞宛等，掺杂稀土元素对BaTiO_3系统介电性能的影响，功能材料与器件学报，2004，10(1)：103-106
[65]蒲永平，宁叔帆，陈维等，Dy_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷结构与性能的影响，西安交通大学学报，2004，38(4)：424-427
[66]邢晓旭，郝素娥，Dy掺杂BaTiO_3陶瓷的制备及其介电性能，功能材料，2004，35(z1)：1311-1314
[67]王志朋，BaTiO_3基MLCC介质材料的研究：[硕士毕业论文]，上海；华东理工大学，2005
[68] Cheng-Sao Chen，Chen-Chia Chou，I.-Nan Lin et al.，Microstructures of X7Rtype base-metal-electroded BaTiO_3 capacitor materials prepared by duplex-structuredprocess，Journal of the European Ceramic Society，2005，25(12)：2743-2747
[69]李玲霞，亚微米BaTiO_3 X7R MLC细晶陶瓷介质材料的介电性能研究，电子元件与材料，2003，22(8)：52-53
[70] Chen,C.S，Chou,C.C，Lin,I.N，Microstructure of X7R type basemetal-electrodedBaTiO_3 capacitor materials co-doped with MgO/Y2O_3additives，Journal ofElectroceramics，2004，13：567-571
[71]吴雪梅，陶珍东，黄志文等，高能球磨法制备钛酸钡陶瓷及其掺杂改性，西南科技大学学报，2008，23(1)：66-70.
[72] Shunhua Wu，Xuesong Wei，Xiaoyong Wang，et al.，Effect of Bi_2O_3 additive onthe microstructure and dielectric properties of BaTiO_3-based ceramics sintered atlower temperature，Journal of Materials Science and Technology，2010，26(5)：472-476
[73]李卫，周科朝，氧化铋的应用研究进展，材料科学与工程学报，2004，22(1)：154-156
[74] C. Ma，X. H. Wang，R. Z. Chen，et al.，The structure and dielectric propertiesof low temperature sintering barium titanate based X7R ceramics，Journal ofElectroceramics，2008，21(1/4)：242-245
[75]苏皓，高温稳定型（125℃、150℃、190℃）高介BaTiO_3系统陶瓷介电材料研究：[博士毕业论文]，天津；天津大学，2006
[76] Paunovi(?) Vesna V，(?)ivkovi(?) Ljiljana M，Vra(?)ar Ljubomir，et al.，The effects ofadditive on microstructure and electrical properties of BaTiO_3 ceramics，SerbianJournal of Electrical Engineering，2011，1(3)
[77]王爽，Mn掺杂对BaTiO_3体系介电性能的影响，高等职业教育－天津职业大学学报，2007，16(4)：86-89
[78]殷之文，电介质物理学，北京：科学出版社
[79] Y. Yuan，S.R. Zhang，X.H. Zhou，et al.，High-temperature capacitor materialsbased on modified BaTiO_3，Journal of Electronic Materials，2009，38(5)：706-710
[80]李玲霞，明翠，孙晓东，多种氧化物改性对BaTiO_3介电性能的影响，稀有金属材料与工程，2006，35(7)：1092-1095
[81]蒲永平，赵新球等，球磨工艺对钛酸钡陶瓷介电性能的影响，中国陶瓷，2009，45(6)：21-23
[82]胡志强，无机材料科学基础教程，北京：化学工业出版社，2007：257-281
[83]李标荣，电子陶瓷工艺原理[M]，武汉：华中理工大学出版社，1994
[84] Bernard Jaffe，et al.，Piezoelectric Ceramics，London：Academic Press，1971：253-267
[85]丛丽娜，粉体团聚对氧化铝陶瓷烧结的影响，河北陶瓷，1999，20(1)：26-28
[86]李世春，吴顺华，制备工艺对BNBT陶瓷介电性能的影响，硅酸盐通报，2010，29(6)：1247-1252
[87] Kuwabara M，Matsuds H，Kurata N，et al.，Shift of the curie point of bariumtitanate ceramics with sintering temperature，Journal of the American CeramicSociety，1997，80(10)：2590-2596
[88] Frey M H，Payne D A，Grain-size effect on structure and phase transformationsfor barium titanate，Physieal Review B，1996，54(5)：3158-3162.
[89] Lee S，Liu Z K，Kim M H，et al.，Influence of nonstoiehiometry on ferroelectriephase transition in BaTIO_3，Journal of Applied Physics，2007，101(5)：054119-18
[2]邓湘云，李建保，王晓慧，等，MLCC的发展趋势及在军用电子设备中的应用，电子元件与材料，2006，5(5)：l-6
[3]于凌宇，全球片式电容器技术[J].电子质量，2000,2.
[4]梁力平，赖永雄，李基森，片式叠层陶瓷电容器的制造和材料，广州：暨南大学出版社，2008
[5] Pithan C，Hennings D，Waser R，Progress in the synthesis of nanocrystallineBaTiO_3 powders for MLCC，International Journal of Applied Ceramic Technology，2005，2(1)：1–14
[6]薛泉林，高压陶瓷电容器及其应用新动向[J].电子元件与材料，2000，19(2)：34–37
[7]陈祥冲，黄新友，贱金属内电极多层陶瓷电容器研发进展，材料导报，2004，18(11)：16-18
[8] Sakabe Y，Reynolds T，Base-metal electrode capacitors，American CeramicsSociety Bulletin，2002，81(10)：24-26
[9]孟希敏，刘心宇，周昌荣，无铅压电陶瓷的研究现状与发展趋势，电工材料，2006，3：40-44
[10] Boufrou B，Tetragonal tungsten bronze niobate，K_(0.2)Sr_90.3)NbO_3：a new materialfor eapacitor with fiat dielectric curves，American Ceramics Society Bulletin，1991，74(11)：2809-2814
[11]阮立坚，李龙土，桂治轮，铌镁酸铅系低烧高介X7R瓷料的研究，功能材料，1997，28(2)：140-142
[12] J.Herbert，High-Permittivity Ceramics Sintered in Hydrogen，Trans.Brit.Ceram.Sci.，1963，62：645-653
[13] Daniels J，Hardtl K，Electrical conductivity at hightemperature for donor-dopedbarium titanate ceramics，Philips Res.Reports，1976，31：489
[14] Tennery V J，Cook R L，Investigation of rare-earth doped barium titanate，Journalof the American Ceramic Society，1961，44(4)：187–193
[15] Murakami T，Yamaji A，Dy-doped BaTiO_3 ceramics for high voltage capacitoruse，American Ceramic Society Bulletin，1976，55(6)：572-575
[16] Park Y，Cho K，Kim H G，Effect of external pressure and grain size on the phasetransition in the Gd-doped BaTiO_3 ceramic，Materials Research Bulletin，1997，32(11)：1485-1494
[17] Hiroshi Kishi，Noriyuki Kohzu，Junichi Sugino，et al.，The Effect of Rare-earth(La，Sm，Dy，Ho and Er) and Mg on the Microstructure in BaTiO_3，Journal of theEuropean Ceramic Society，1999，19：1043-1046
[18] Yun-Sung Jung，Eun-Sang Na，A study on the phase transition and characteristicsof rare earth elements doped BaTiO_3，Materials Research Bulletin，2002，37：1633-1640
[19]李波，张树仁等，BaTiO_3-R_2O_3-MgO系介质的稀土掺杂效应，材料研究学报，2008，22，4：433-438
[20]李波，周晓华，张树仁，稀土掺杂对还原烧结钛酸钡陶瓷微结构和电性能的影响，硅酸盐学报，2008，36(3)：277-282
[21]杜旻，袁颖，张树人等，BiNbO_4掺杂对BaTiO_3基陶瓷的改性效应研究，功能材料，2008，4(39)：641-644
[22]薛泉林，新型的高稳定高介X8R，电容器瓷料，2001，34(3)：13-17
[23] Ito，Kazushige，Ceramic electronic device and the production method，美国专利，20080293560
[24] Koebrugge，Gerhardus W，X8R dielectric composition for use with nickelelectrodes，美国专利，20080169530
[25]李言荣，恽正中，电子材料导论，北京：清华大学出版社，2001
[26]李荣标，莫以豪，王筱珍，无机介电材料，上海：上海科学技术出版社，1986：79-87
[27]徐延献，电子陶瓷材料，天津：天津大学出版社，1993
[28]张延平，电子陶瓷材料物化基础，北京：电子工业出版社，1996：45-67
[29]刘梅冬，许毓春，压电铁电材料与器件，武汉：华中理工大学出版社，1990：59-62
[30] Bernard Jaffe，et al.，Piezoelectric Ceramics，London：Academic Press，1971
[31]钟维烈，铁电体物理学，北京：科学出版社，2000
[32] T.Hiramatsu，T.Tamura，et al.，Effects of grain boundary on dielectric propertiesin fine-grained BaTiO_3 ceramics，Materials Science and Engineering，2005，B120：55-58
[33] T.R,Armstrong，R.C.Buchanan，Influence of Core-Shell Grains on theInternal Stress State and Permittivity Response of Zirconia-Modified BariumTitanate，Journal of the American Ceramic Society，1990，73(5)：1268-1273
[34] G.A.Smolensky，Phenomena in Ferroelectrics with Diffuse PhaseTransition，Journal of the Physical Society of Japan，1970，28：26-37
[35] W.R.Buessem，L.E.Cross，A.K.Goswami，Phenomenological Theory of HighPermittivity in Fine-Grained Barium Titanate，Journal of the American CeramicSociety，1966，49(1)：33-36
[36] M.F.Yan，Microstructual Control in the Processing of Electronic Ceramics，Materials Science and Engineering，1981，48：53-72
[37]刘康时等，陶瓷工艺原理，广州：华南理工大学出版社，1984：337
[38] G. Arlt，D. Hennings，and G. de With，Dielectric properties of fine-grain bariumtitanate ceramics，Journal of Applied Physics，1985，58(4)：1619-1625
[39] Kyoichi K，Akihiko Y，Grain-size effects on dielectric properties in bariumtitanate ceramics，Journal of Applied Physics，1976，47(1)：371-373
[40] Lee B. W，Auh K.H，Effect of grain size and mechanical processing on thedielectric properties of BaTiO_3，Journal of American Ceramic Society，1971，54(9)：455-458
[41]方俊鑫，陆栋，固体物理学，上海：上海科学技术出版社，1981
[42]李荣标，莫以豪，王筱珍，无机介电材料，上海：上海科学技术出版社，1986：87-112
[43]梁希侠，班士良，统计热力学，呼和浩特：内蒙古大学出版社，2000
[44]苏汝铿，统计物理学（第二版），北京：高等教育出版社，2006
[45]王升，张树人，周晓华等，BaTiO_3-Nb_2O_5-Ni_2O_3三元系统的介电性能研究，无机材料学报，2006，21(2)：369-374
[46]蒲永平，杨公安，王瑾菲等，BaTiO_3-Nb_2O_5-Fe2O_3陶瓷介电性能的研究，人工晶体学报，2008，37(4)：1029-1032
[47] R. Chen，X. Wang，L. Li，et al.，Effects of Nd/Co ratio on the dielectric propertiesof BaTiO_3-based X7R，Materials Science and Engineering，2003，298-301
[48]苏皓，高温稳定型（125℃、150℃、190℃）高介BaTiO_3系统陶瓷介电材料研究：[博士毕业论文]，天津；天津大学，2006
[49]石随林，张灵振，黄红军等，NiO/BaTiO_3陶瓷复合材料制备与介电性能研究，稀有金属材料与工程，2007，36(z1)：428-430
[50] J. Q. Huang，P. Y. Du，W. J. Weng，et al.，Effect of doped Ni2+ on the dielectricproperties of NiO-BaTiO_3 composites，Journal of Electroceramics，2008，21(1/4)：394-397
[51]田靓，崔斌，掺镍对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响，材料科学与工程学报，2006，24(3)：386-388
[52]单丹，曲远方，张晨等，掺杂CeO_2和CuO对BaTiO_3陶瓷介电性能的影响，稀有金属材料与工程，2005，34(z2)：777-779
[53]杨逢春，降低X7R陶瓷电容器烧结温度的研究：[硕士毕业论文]，成都；电子科技大学，2008
[54]靳正国，戴维迪，苗海龙等，Dy_2O_3和La_2O_3掺杂对BaTiO_3铁电陶瓷介电特性的影响，硅酸盐学报，2001，29(5)：397-401
[55] Li Lingxia，WANG Dapeng，Wu Xiawan，et al.，Effect of Gd_2O_3 and La_2O_3 onBaTiO_3 -Based Ceramics，Rare Earth，2004，22(z3)：170-172
[56]陈慧英，吕亚辉，杨泽玮等，Nd、Ce掺杂BaTiO_3基陶瓷的研制及介电性能研究，中央民族大学学报（自然科学版），2006，15(1)：36-39
[57] Kaizheng Luan，Chengju Zhang，et al.，the effect of rare earth Ce on dielectricproperties of BaTiO_3 ceramic. Rare Earth，1990，2(3)：21-23
[58]王爽，CeO_2掺杂对BaTiO_3系统微观结构及介电性能的影响，天津工程师范学院学报，2010，20(1)：12-14
[59]郝素娥，韦永德，王进福等，Nd2_O_3添加量对BaTiO_3陶瓷介电性能的影响，无机化学学报，2002，18(10)：1042-1044.
[60]李玲霞，明翠，孙晓东等，多种氧化物改性对BaTiO_3介电性能的影响，稀有金属材料与工程，2006，35(7)：1092-1095
[61]郝素娥，韦永德，Sm_2O_3掺杂BaTiO_3陶瓷的结构与电性能研究，无机材料学报，2003，18(5)：1069-1073
[62]王爽，超高温BaTiO_3复合材料铁电机理研究：[博士毕业论文]，天津；天津大学，2010
[63]郝素娥，王进福，朱力勇等，氧化钆对钛酸钡陶瓷结构和介电性能的影响，稀土，2003，24(1)：68-69
[64]郭炜，李玲霞，吴霞宛等，掺杂稀土元素对BaTiO_3系统介电性能的影响，功能材料与器件学报，2004，10(1)：103-106
[65]蒲永平，宁叔帆，陈维等，Dy_2O_3掺杂对BaTiO_3陶瓷结构与性能的影响，西安交通大学学报，2004，38(4)：424-427
[66]邢晓旭，郝素娥，Dy掺杂BaTiO_3陶瓷的制备及其介电性能，功能材料，2004，35(z1)：1311-1314
[67]王志朋，BaTiO_3基MLCC介质材料的研究：[硕士毕业论文]，上海；华东理工大学，2005
[68] Cheng-Sao Chen，Chen-Chia Chou，I.-Nan Lin et al.，Microstructures of X7Rtype base-metal-electroded BaTiO_3 capacitor materials prepared by duplex-structuredprocess，Journal of the European Ceramic Society，2005，25(12)：2743-2747
[69]李玲霞，亚微米BaTiO_3 X7R MLC细晶陶瓷介质材料的介电性能研究，电子元件与材料，2003，22(8)：52-53
[70] Chen,C.S，Chou,C.C，Lin,I.N，Microstructure of X7R type basemetal-electrodedBaTiO_3 capacitor materials co-doped with MgO/Y2O_3additives，Journal ofElectroceramics，2004，13：567-571
[71]吴雪梅，陶珍东，黄志文等，高能球磨法制备钛酸钡陶瓷及其掺杂改性，西南科技大学学报，2008，23(1)：66-70.
[72] Shunhua Wu，Xuesong Wei，Xiaoyong Wang，et al.，Effect of Bi_2O_3 additive onthe microstructure and dielectric properties of BaTiO_3-based ceramics sintered atlower temperature，Journal of Materials Science and Technology，2010，26(5)：472-476
[73]李卫，周科朝，氧化铋的应用研究进展，材料科学与工程学报，2004，22(1)：154-156
[74] C. Ma，X. H. Wang，R. Z. Chen，et al.，The structure and dielectric propertiesof low temperature sintering barium titanate based X7R ceramics，Journal ofElectroceramics，2008，21(1/4)：242-245
[75]苏皓，高温稳定型（125℃、150℃、190℃）高介BaTiO_3系统陶瓷介电材料研究：[博士毕业论文]，天津；天津大学，2006
[76] Paunovi(?) Vesna V，(?)ivkovi(?) Ljiljana M，Vra(?)ar Ljubomir，et al.，The effects ofadditive on microstructure and electrical properties of BaTiO_3 ceramics，SerbianJournal of Electrical Engineering，2011，1(3)
[77]王爽，Mn掺杂对BaTiO_3体系介电性能的影响，高等职业教育－天津职业大学学报，2007，16(4)：86-89
[78]殷之文，电介质物理学，北京：科学出版社
[79] Y. Yuan，S.R. Zhang，X.H. Zhou，et al.，High-temperature capacitor materialsbased on modified BaTiO_3，Journal of Electronic Materials，2009，38(5)：706-710
[80]李玲霞，明翠，孙晓东，多种氧化物改性对BaTiO_3介电性能的影响，稀有金属材料与工程，2006，35(7)：1092-1095
[81]蒲永平，赵新球等，球磨工艺对钛酸钡陶瓷介电性能的影响，中国陶瓷，2009，45(6)：21-23
[82]胡志强，无机材料科学基础教程，北京：化学工业出版社，2007：257-281
[83]李标荣，电子陶瓷工艺原理[M]，武汉：华中理工大学出版社，1994
[84] Bernard Jaffe，et al.，Piezoelectric Ceramics，London：Academic Press，1971：253-267
[85]丛丽娜，粉体团聚对氧化铝陶瓷烧结的影响，河北陶瓷，1999，20(1)：26-28
[86]李世春，吴顺华，制备工艺对BNBT陶瓷介电性能的影响，硅酸盐通报，2010，29(6)：1247-1252
[87] Kuwabara M，Matsuds H，Kurata N，et al.，Shift of the curie point of bariumtitanate ceramics with sintering temperature，Journal of the American CeramicSociety，1997，80(10)：2590-2596
[88] Frey M H，Payne D A，Grain-size effect on structure and phase transformationsfor barium titanate，Physieal Review B，1996，54(5)：3158-3162.
[89] Lee S，Liu Z K，Kim M H，et al.，Influence of nonstoiehiometry on ferroelectriephase transition in BaTIO_3，Journal of Applied Physics，2007，101(5)：054119-18