一次烧成法制备钛酸锶双功能压敏陶瓷工艺及性能研究
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摘要
钛酸锶压敏陶瓷是一种具有压敏性和电容性双功能的材料，它具有利于低压化，静电容大，对低于标称电压的杂波有抑制作用，而且在吸收陡脉冲时不会出现过渡特性上冲等优点，同时非常有利于电子元件的小型化和集成化。其优良的电性能已得到广泛应用，在各种便携通讯机，计算机系统，汽车中大量应用。目前，已发展了多种方法来制备钛酸锶粉料。其中，化学共沉淀法和水热法由于生产成本低、产品质量高，成为引起特别重视的二种生产方法。现在大多采用一次烧成法了生产钛酸锶陶瓷，其工艺比传统的二次烧成法简单。生产过程中，还原性气氛通常由H_2提供，这不仅增加了制备成本和工艺控制的难度，而且还存在制备过程中的安全性问题。本实验不通入氢气，用氮气和石墨也能制造出符合实验要求的还原性气氛。为了发挥钛酸锶压敏陶瓷低压化的优势，以降低压敏电压为主要目的，同时兼顾其它性能参数，分别用CuO和MnCO_3作受主掺杂，发现用CuO作受主掺杂可大大降低压敏电压。加入Li_2CO_3作烧结助剂，虽然能有效地促进晶粒长大，但由于Li~+离子半径小，在烧结过程中易进入晶粒内部，影响半导化，使压敏电压升高，改变烧结助剂后，制备出了压敏电压为5.75V／mm，介电常数为87425.83的试样。对实验结果进行分析，得出在施主掺杂、受主掺杂、烧结温度这三类影响因素中，影响压敏电压的主要因素为受主掺杂，影响非线性系数的主要因素为烧结温度，影响介电常数的主要因素为受主掺杂，影响压敏电压的主要因素也为受主掺杂。因此，受主种类的选择及掺杂量的大小，对钛酸锶压敏陶瓷的双功能特性起着至关重要的作用。实验证明镧铜组合是一个极有前途的低压压敏陶瓷配方，同时采用Nb_2O_5和La_2O_3的双施主掺杂，材料的综合性能要优于La_2O_3的单施主掺杂。采用双施主掺杂时，以“0.6mol％Nb_2O_5+0.3mol％La_2O_3”为佳；采用单施主掺杂，La_2O_3掺入量以1.2mol％为佳。
ceramic varistor is a kind of material with double functions. It can be used as capacitor and varistor. It has a great deal of characteristic, such as low sensing-voltage, big dielectric constant and restraining the wave which voltage is lower than the standard. Its good properties have been utilized widely. Now, SrTiO3 powder can be produced by many means, of which water-heating and chemical codeposition are most important. At the present, SrTiO3 ceramic varistor is often prepared by the single-fired method. During the production, reducing atmosphere is created by H2. But H2 can bring about big danger. To avoid this sequent, N2 and lead are adopted to create reducing atmosphere. The effect is good. To decrease the sensing-voltage, CuO and MnCO3 are used as acceptors. We found the effect of doped CuO was better. At the same time, the experiment results indicate that acceptor doping is very important for SrTiOs ceramic, and that La-Cu combination is a prospective ingredient makeup. Doping with two donors is better than with single donor. "0.6mol%Nb2O5+0.3mol%La2O3" is the most arrangement of former and The most arrangement of latter is 1.2mol%La2O3.
ceramic varistor is a kind of material with double functions. It can be used as capacitor and varistor. It has a great deal of characteristic, such as low sensing-voltage, big dielectric constant and restraining the wave which voltage is lower than the standard. Its good properties have been utilized widely. Now, SrTiO3 powder can be produced by many means, of which water-heating and chemical codeposition are most important. At the present, SrTiO3 ceramic varistor is often prepared by the single-fired method. During the production, reducing atmosphere is created by H2. But H2 can bring about big danger. To avoid this sequent, N2 and lead are adopted to create reducing atmosphere. The effect is good. To decrease the sensing-voltage, CuO and MnCO3 are used as acceptors. We found the effect of doped CuO was better. At the same time, the experiment results indicate that acceptor doping is very important for SrTiOs ceramic, and that La-Cu combination is a prospective ingredient makeup. Doping with two donors is better than with single donor. "0.6mol%Nb2O5+0.3mol%La2O3" is the most arrangement of former and The most arrangement of latter is 1.2mol%La2O3.
引文
[1] 朱俊鑫，SrTiO_3陶瓷变阻器，压电与声光，1992，14(2)：22-27
[2] 韩长生，马睿，压敏陶瓷材料及新世纪对策．电子元器件应用，2000，2(5)：1-3，11．
[3] 张近，钛酸锶的制备与应用，钛工业进展，1998，6：36，37-38
[4] 金泽龙，重要的电子陶瓷功能元件钛酸锶压敏电阻应用与发展，家用电器科技，1998，2(29)：28-29
[5] 马如璋，功能材料科学．北京：冶金工业出版社，1999
[6] 师昌绪，材料大词典．北京：化工出版社，1994
[7] 周东祥，半导体陶瓷及应用．武汉：华中理工大学出版社，1991
[8] 徐廷献，电子陶瓷材料．天津：天津大学出版社，1992
[9] 张南法，国外压敏电阻器简介，电子元件与材料，1990，23(1)：8-12
[10] 余承杰，陈湘渝，低压压敏电阻，压电与声光，1992，14(1)：20-25
[11] 黄伟，电子陶瓷用钛酸盐产品初步调查，化工进展，1991，2：2-9
[12] 黄锦藩，提高中高压陶瓷电容器质量的几点意见，电子元件与材料，1991，10(2)：44-47
[13] 谢清云，黄世兰，电瓷材料介电性能的几个影响因素，电瓷避雷器，1997，4：11-13
[14] 韩长生，马睿，压敏陶瓷材料及新世纪对策，电子元器件应用，2000，2(5)：1-11
[15] 陈贞亮，杨金贤，钛酸锶的掺杂研究，盐湖研究，2001，9(3)：32-37
[16] 朱启安，钛酸锶生产工艺的现状与发展，无机盐工业，2001，33(5)
[17] YamaokaN, et al. Am Ceram Soc Bull,1983,62(6):698-793
[18] Fujimoto M, et al. J Am Ceram Soc, 1985,68(11):C300-305
[19] 肖鸣山，韩力群，稀土氧化物改性的SrTiO_3陶瓷的介电性质，稀土，1993，14(2)：24-27
[20] 季惠明，徐廷献，SrTiO_3压敏电阻耐浪涌电流特性的研究，电子学报，1996，24(12)：95-99
[21] Jun-Ichi Yoshimura, Junji Yaman. X-ray topographic observation of lattice defects. in heat-treated SrTiO3 crystals. Materials Transactions, JIM,2000,41(5):345-348
[22]陈慧民，徐廷献，SrTiO_3压敏陶瓷一次烧成工艺的研究，硅酸盐学报，1995，23(4)：448-453
[23]周和平，曾剑平，一次低烧SrTiO_3基晶界层电容器的研究，硅酸盐学报，1995，23(4)：444-447
[24]智宇，陈昂，Sr_(1-x)La_xTiO_3陶瓷的介电特性与缺陷机构，硅酸盐学报，1992，20(1)：23-27
[25]徐保民，王鸿，殷之文，低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的掺杂分析，硅酸盐学报，1992，20(1)：16-22
[26]徐保民，王鸿，殷之文，低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的研究，硅酸盐学报，1991，19(4)：354-360
[27]余尚银，秦效慈，SrTiO_3基多功能陶瓷的研究，压电与声光，1996，18(6)：425-428，430．
[28]张士成，陈炳辰，韩跃新，钛酸锶系电子陶瓷的性能与应用研究进展．矿冶，2001，10(1)：63-67．
[29]“粉末冶金词典”编辑组编，粉末冶金词典，冶金工业出版社，1983．
[30]王连洲，范福康，石墨还原一次烧成SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的研究，功能材料与器件学报，1998，4(1)：67-72．
[31]范福康，周洪庆，稀土掺杂和Ti／Sr比对SrTiO_3电容器电参数的影响，电子元件与材料，1999，9(1)：13-18
[32]周世平，桂治轮，李龙土，施主掺杂(Sr，Pb)TiO_3陶瓷的正电子湮没(PAT)研究，功能材料，1994，25(4)：331-333
[33]周洪庆，范福康，施主掺杂多晶(Sr，Ba)TiO_3微观结构和介电性能的研究，硅酸盐通报，1994，4：16-20
[34]唐晓霞，范福康，氧化温度对空气中一次烧成SrTiO_3晶界层电容器显微结构及电性能的影响，硅酸盐通报，1991，2：10-14
[35]宋祥云，黄瑞富，SrTiO_3陶瓷的壳-芯结构及晶格缺陷，中国科学A辑，1990，12：1314=1319
[36]徐保民，殷之文，王鸿，Ti／Sr比对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响，硅酸盐通报，1991，5：22-26
[37]徐保民，殷之文，王鸿，烧结工艺对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响．硅酸盐通报，1991，4：4-8，15
[38]XU Baomin, Wang Hong, and Yin Zhiwen, Study on Sintering SrTiO_3 GBBL
Capacitors at Low Temperatures,Presented at the 92nd Annual Meeting of the American Ceramic Society,Dallas,Texas,April 22-26,1990.
[39]贾惠良，王评初，Mn、Si等添加剂对GBBL电容器用材料SrTiO_3性能的影响．功能材料，1999，30(2)：184-185．
[40]王评初，贾惠良，一种含钇的一次烧结SrTiO_3GBBL电容器用材料．无机材料学报，1998，13(6)：93-95．
[41]唐晓霞，范福康．氧化温度对空气中一次烧成SrTiO_3晶界层电容器的显微结构及电性能的影响．硅酸盐通报，1991，2：10-14．
[42]王连洲，范福康．一次烧成制度对SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的影响．功能材料，1999，30(1)：46-48．
[43]王建文，杨明，郭亚平，ZnO压敏电阻器热处理工艺与其耐冲击性能关系的研究．电瓷避雷器，1997，5：39-42．
[44]贾惠良，王评初，Mn，Si等添加剂对GBBL电容器用材料SrTiO_3性能的影响，功能材料，1999，30(2)：184-185
[45]肖鸣山，王建成，用于高压电容器的SrTiO_3基陶瓷，功能材料，1997，28(5)：504-505
[46]R.Wurm,O.Dernovsek.Sol-Gel derired SrTiO_3 and SrZrO3 coatings on SiC and C-fibers. Journal of Materials Science,1999,34(16):123-126
[47]方惠会，王开毅，薛松，碳酸铵共沉淀法制备高纯超细钛酸锶粉体，功能材料，2000，31(4)：408-409，415
[48]方晓明，一种合成SrTiO_3超细粉料的新技术，电子元件与材料，1996，15(6)：54-58
[49]曹全喜，周晓华，钙钛矿型功能陶瓷两种制备方法的区别，功能材料，1998，29(2)：192-195
[50]张士成，陈炳辰，韩跃新等，热水溶液中钛酸锶晶粒的结晶过程，硅酸盐
[51]徐明霞，郑嘹赢，孙清池等，无机盐原料溶胶-凝胶工艺合成高纯超细钛酸锶粉料，硅酸盐学报，2000，28(2)：184-186
[52]陈贞亮，王政存，申承民等，溶胶-凝胶法制备纳米钛酸锶，功能材料，1999，30(6)：633-635
[53]方惠会，王开毅，草酸盐共沉淀法制备高纯超细钛酸锶粉体，中南工业大学学报，1996，27(3)：316-319
[54]周世平，李龙土，桂治轮，张孝文，钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究，硅
酸盐学报，1994，22(4)：364-369
[55]陈文，徐庆，袁润章，SrTiO_3复合功能陶瓷的AC阻抗谱研究，硅酸盐通报，1999，4：18-21
[56]罗世永，张家芸，周士平，固相反应合成SrTiO_3的反应动力学，硅酸盐学报，2000，28(5)：458-462
[57]朱启安，石荣恺，黄伯清等，钛酸锶粉体合成新方法研究，无机盐工业，2002-03，34(2)：5-7
[58]王德君，周济，桂治轮等，(Sr，Pb)TiO_3超微粉体的制备与性质，无机材料学报，1996，12(2)：231-236
[59]宋秀芹，马建峰，无机非金属材料的软化学合成，硅酸盐通报，1996，6：57-60
[60]李景德，唐新桂，雷德铭，钛酸锶的还原工艺和晶粒性质，无机材料学报，1995，10(2)：199-203
[61]赖华生，邓汝富，草酸盐共沉淀法制备施主掺杂的SrTiO_3微粉，南方冶金学院学报，1998，19(3)：206-211
[62]曹全喜，周晓华，蔡式东等，SrTiO_3陶瓷中掺杂和Ti／Sr比的配合，功能材料，1995，26(5)：439-441
[63]肖鸣山，张承琚，王成建等，SrTiO_3陶瓷的介电谱研究，功能材料，1996，27(5)：441-442
[64]王连洲，范福康，一次烧成制度对SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的影响，功能材料，1999，30(1)：46-48
[65]徐庆，陈文，袁润章，Mn对一次烧成钛酸锶陶瓷复合功能的影响，压电与声光，2000，22(6)：401-404
[66]Zou Q.et al. J Am Ceram,1995,78(1):58-64
[67]曹全喜，周晓华，孙志等，Mn在SrTiO_3功能陶瓷中的作用，压电与声光，1998，20(1)：59-63
[68]缪卫国，吴音，周和平，Ca固溶对SrTiO_3结构的影响，无机材料学报，1998，13(1)：48-52
[69]李建英，李盛涛，庄严等，SrTiO_3双功能陶瓷中CaTiO_3掺杂的研究，功能材料，2000，31(3)：281-282，286
[70]李建英，李盛涛，庄严等，SrTiO_3双功能陶瓷中TiO_2掺杂的作用，压电与声光，2000，22(1)：46-48
[71]李建英，李盛涛，庄严，SrTiO_3双功能陶瓷的施主掺杂研究，材料研究学报，2000，14(2)：193-197
[72]肖鸣山，庄得新，陈洪存，SrTiO_3基陶瓷多功能变阻器的研制，压电与声光，1993，15(2)：51-53
[73]王评初，康颖，李睁等，低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究，无机材料学报，1996，11(4)：691-695
[74]王评初，贾惠良，一种含钇的一次烧结SrTiO_3GBBL电容器材料，无机材料学报，1998，13(3)：92-94
[75]姚熹，精细功能陶瓷动态与展望．西安：西安交通大学出版社，1991
[76]蔡起善，功能性陶瓷的近况与发展，压电与声光，1991，13(6)：18-23
[77]Stanbaker Ferroelectric, VLSI Systems Design. 1988-05:116-123
[78]Geideman W A. Progress in ferroelectric memory technology. IEEE Trans Ultra Ferro Freq Cont, 1991,38(6):704
[79]Park H. et al. Ferroelectric Materials for 64Mb and 256Mb DRAMs IEEE Circuits and Devices Magazine. 1990,1:7-26
[80]Sheppard M. Advances in Processing of ferroelectric. Ceramic Bulletin, 1992,71(1):85-95
[81]Newnnam R E. et al. Smart electroceramics. J Am Ceram Soc. 1991,74(3):463
[82]柳田博明．1991，(5)：5
[83]Yanagida H. Intelligent Ceramics. Ferroelectrics, 1990,102:252
[84]Newnnam RE. et al. Smart ceramics. Ferroelectrics, 1990,10(2):259-266
[85]陈贞亮，杨金贤，纳米钛酸锶及其系列功能材料研究概述，盐湖研究，1999，7(2)：59-61
[86]陈志雄，付刚，唐大海，影响钙钛矿结构陶瓷n型半导化的结构因素，压电与声光，1999，21(6)：478-482
[87]陈志雄，周方桥，付刚等，钙钛矿结构陶瓷N型半导化评述，材料导报，2000，14(3)：44-47
[88]蔡起喜，功能陶瓷在电子技术发展中的新趋势，压电与声光，1993，15(5)：1-8
[89]孔令兵，张良莹，姚熹，玻璃掺杂(Sr_xBa_(1-x))TiO_3陶瓷基压敏材料的制备\表征及性能，硅酸盐学报，1997，25(6)：724-728
[90]赵景畅，鲍慈光，杨宗璐，掺SrLi_(1/4)Nb_(3/4)TiO_3的SrTiO_3缺陷化学研究，功
能材料，1999，30(4)：397-401
[91] 李建英，庄严，李盛涛等，SrTiO_3双功能陶瓷的表面效应，功能材料，1999，30(4)：399-400
[92] 徐庆，陈文，严宸强，SrTiO_3系多功能陶瓷一次烧成中的掺杂行为，电子元件与材料，1997，16(2)：21-23
[93] 李盛涛，刘辅宜，电子陶瓷电性能与微观结构参数的关系探讨，功能材料，1997，28(6)：592-595
[94] J. Daniels et al, Philips Res. Rep>, 1988, 31:487
[95] H.D. PAKK,D. A. PAYNE. Ceramics, 1989, 1: 272
[96] Phase Diagrams for Ceramists,Ed. by the American Ceramic Society, 1988
[97] S. Witek, D. M. Smyth. J. Am. Ceram. Soc., 1984, 67(5):372-375
[98] 方平安，顾辉，宋元伟，掺杂(Fe、Nb)SrTiO_3晶界组成的电子能量损失谱(EELS)分析，材料科学与工艺，2002，10(1)：48-50
[99] 邹秦，孟中岩，途覆扩散型SrTiO_3基陶瓷晶界叠加势垒模型，硅酸盐学报，1996，24(2)；185-190
[100] 徐庆，陈文，赵雷康等，SrTiO_3复合功能陶瓷中烧结助剂的研究，功能材料与器件学报，1999，5(1)：76-80
[101] 罗世永，张家芸，SrTiO_3的缺陷化学，北京科技大学学报，2001，23(5)：409-412
[102] 陈文，徐庆，袁润章，一次烧成SrTiO_3复合功能陶瓷中掺杂Ag~+离子的行为及其机制，功能材料，2001，32(3)：312-314
[103] 张庆秋，凌志远，何新华，SrTiO_3基中高压电容器瓷料的合成条件研究，中国陶瓷，2001，37(5)：11-14
[104] 徐庆，陈文，袁润章，Ni、Cu掺杂钛酸锶复合功能陶瓷的电学特性，压电与声光，2001，23(3)：223-226
[105] 孙献忠，鲍慈光，杨宗璐等，SrTiO_3基功能陶瓷的制备与特性研究，云南化工，1998，1：17-41
[106] 罗世永，张家芸，SrTiO_3中离子自扩散参数评估，北京科技大学学报，2001，23(3)：271-274
[107] 徐庆，陈文，周静，Ta~(5+)掺杂的SrTiO_3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究，武汉工业大学学报，1996，18(4)：17-20
[108] 王岩国，利用电子全息术测量掺锰钛酸锶双晶界面的势场分布，电子显微
学报，2001，20(2)：121-126
[109] 李建英，李盛涛，庄严，烧银电极对SrTiO_3环型压敏电阻器性能的影响，电子元件与材料，2000，1：1-2
[110] 吴红忠，添加剂对SrTiO_3基复合功能陶瓷材料性能的影响，江苏陶瓷，2001，34(1)：32-36
[111] 闫洪，钛酸锶陶瓷表面Ni-P金属化工艺的研究，上海有色金属，1999，20(3)
[112] 徐庆，陈文，氧化热处理对一次烧成的SrTiO_3复合功能陶瓷电性能的影响，武汉工业大学学报，1997，19(3)
[113] 李睁，王评初，低温烧结SrTiO_3晶界层电容器材料的体深能级的研究，无机材料学报，1998，13(2)：163-166
[114] 李建英，李盛涛，庄严，用PAT研究SrTiO_3双功能陶瓷的缺陷结构，电子学报，2000，28(8)：127-128
[115] 章欣，Mn对SrTiO_3基电容-压敏陶瓷非线性系数的影响，延安大学学报，1999，18(3)：34-38
[116] 肖明，TiO_2掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究，湖北大学学报，2001，23(2)：134-137
[117] 季惠明，郝俊杰，梁辉，SrTiO_3基压敏陶瓷低压化途径，电子元件与材料，2000，5(2)：5-6
[118] 曹全喜，籍聪麟，铜和碱金属影响压敏陶瓷性能的机理，压电与声光，2001，23(3)：186-188
[119] 曹全喜，周晓华，Co_3O_4在压敏陶瓷中的作用和影响，压电与声光，1996，18(4)：260-263
[120] 季惠明，徐廷献，低压SrTiO_3压敏陶瓷的制备及电学特性，天津大学学报，1996，29：114-119
[121] Ji Huiming, Xu Tingxian. Theoretical model and experiment investisation on SrTiO_3-based varistors. Transactions of Tianjin University, 2001,7(2):127-131
[2] 韩长生，马睿，压敏陶瓷材料及新世纪对策．电子元器件应用，2000，2(5)：1-3，11．
[3] 张近，钛酸锶的制备与应用，钛工业进展，1998，6：36，37-38
[4] 金泽龙，重要的电子陶瓷功能元件钛酸锶压敏电阻应用与发展，家用电器科技，1998，2(29)：28-29
[5] 马如璋，功能材料科学．北京：冶金工业出版社，1999
[6] 师昌绪，材料大词典．北京：化工出版社，1994
[7] 周东祥，半导体陶瓷及应用．武汉：华中理工大学出版社，1991
[8] 徐廷献，电子陶瓷材料．天津：天津大学出版社，1992
[9] 张南法，国外压敏电阻器简介，电子元件与材料，1990，23(1)：8-12
[10] 余承杰，陈湘渝，低压压敏电阻，压电与声光，1992，14(1)：20-25
[11] 黄伟，电子陶瓷用钛酸盐产品初步调查，化工进展，1991，2：2-9
[12] 黄锦藩，提高中高压陶瓷电容器质量的几点意见，电子元件与材料，1991，10(2)：44-47
[13] 谢清云，黄世兰，电瓷材料介电性能的几个影响因素，电瓷避雷器，1997，4：11-13
[14] 韩长生，马睿，压敏陶瓷材料及新世纪对策，电子元器件应用，2000，2(5)：1-11
[15] 陈贞亮，杨金贤，钛酸锶的掺杂研究，盐湖研究，2001，9(3)：32-37
[16] 朱启安，钛酸锶生产工艺的现状与发展，无机盐工业，2001，33(5)
[17] YamaokaN, et al. Am Ceram Soc Bull,1983,62(6):698-793
[18] Fujimoto M, et al. J Am Ceram Soc, 1985,68(11):C300-305
[19] 肖鸣山，韩力群，稀土氧化物改性的SrTiO_3陶瓷的介电性质，稀土，1993，14(2)：24-27
[20] 季惠明，徐廷献，SrTiO_3压敏电阻耐浪涌电流特性的研究，电子学报，1996，24(12)：95-99
[21] Jun-Ichi Yoshimura, Junji Yaman. X-ray topographic observation of lattice defects. in heat-treated SrTiO3 crystals. Materials Transactions, JIM,2000,41(5):345-348
[22]陈慧民，徐廷献，SrTiO_3压敏陶瓷一次烧成工艺的研究，硅酸盐学报，1995，23(4)：448-453
[23]周和平，曾剑平，一次低烧SrTiO_3基晶界层电容器的研究，硅酸盐学报，1995，23(4)：444-447
[24]智宇，陈昂，Sr_(1-x)La_xTiO_3陶瓷的介电特性与缺陷机构，硅酸盐学报，1992，20(1)：23-27
[25]徐保民，王鸿，殷之文，低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的掺杂分析，硅酸盐学报，1992，20(1)：16-22
[26]徐保民，王鸿，殷之文，低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的研究，硅酸盐学报，1991，19(4)：354-360
[27]余尚银，秦效慈，SrTiO_3基多功能陶瓷的研究，压电与声光，1996，18(6)：425-428，430．
[28]张士成，陈炳辰，韩跃新，钛酸锶系电子陶瓷的性能与应用研究进展．矿冶，2001，10(1)：63-67．
[29]“粉末冶金词典”编辑组编，粉末冶金词典，冶金工业出版社，1983．
[30]王连洲，范福康，石墨还原一次烧成SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的研究，功能材料与器件学报，1998，4(1)：67-72．
[31]范福康，周洪庆，稀土掺杂和Ti／Sr比对SrTiO_3电容器电参数的影响，电子元件与材料，1999，9(1)：13-18
[32]周世平，桂治轮，李龙土，施主掺杂(Sr，Pb)TiO_3陶瓷的正电子湮没(PAT)研究，功能材料，1994，25(4)：331-333
[33]周洪庆，范福康，施主掺杂多晶(Sr，Ba)TiO_3微观结构和介电性能的研究，硅酸盐通报，1994，4：16-20
[34]唐晓霞，范福康，氧化温度对空气中一次烧成SrTiO_3晶界层电容器显微结构及电性能的影响，硅酸盐通报，1991，2：10-14
[35]宋祥云，黄瑞富，SrTiO_3陶瓷的壳-芯结构及晶格缺陷，中国科学A辑，1990，12：1314=1319
[36]徐保民，殷之文，王鸿，Ti／Sr比对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响，硅酸盐通报，1991，5：22-26
[37]徐保民，殷之文，王鸿，烧结工艺对低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的影响．硅酸盐通报，1991，4：4-8，15
[38]XU Baomin, Wang Hong, and Yin Zhiwen, Study on Sintering SrTiO_3 GBBL
Capacitors at Low Temperatures,Presented at the 92nd Annual Meeting of the American Ceramic Society,Dallas,Texas,April 22-26,1990.
[39]贾惠良，王评初，Mn、Si等添加剂对GBBL电容器用材料SrTiO_3性能的影响．功能材料，1999，30(2)：184-185．
[40]王评初，贾惠良，一种含钇的一次烧结SrTiO_3GBBL电容器用材料．无机材料学报，1998，13(6)：93-95．
[41]唐晓霞，范福康．氧化温度对空气中一次烧成SrTiO_3晶界层电容器的显微结构及电性能的影响．硅酸盐通报，1991，2：10-14．
[42]王连洲，范福康．一次烧成制度对SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的影响．功能材料，1999，30(1)：46-48．
[43]王建文，杨明，郭亚平，ZnO压敏电阻器热处理工艺与其耐冲击性能关系的研究．电瓷避雷器，1997，5：39-42．
[44]贾惠良，王评初，Mn，Si等添加剂对GBBL电容器用材料SrTiO_3性能的影响，功能材料，1999，30(2)：184-185
[45]肖鸣山，王建成，用于高压电容器的SrTiO_3基陶瓷，功能材料，1997，28(5)：504-505
[46]R.Wurm,O.Dernovsek.Sol-Gel derired SrTiO_3 and SrZrO3 coatings on SiC and C-fibers. Journal of Materials Science,1999,34(16):123-126
[47]方惠会，王开毅，薛松，碳酸铵共沉淀法制备高纯超细钛酸锶粉体，功能材料，2000，31(4)：408-409，415
[48]方晓明，一种合成SrTiO_3超细粉料的新技术，电子元件与材料，1996，15(6)：54-58
[49]曹全喜，周晓华，钙钛矿型功能陶瓷两种制备方法的区别，功能材料，1998，29(2)：192-195
[50]张士成，陈炳辰，韩跃新等，热水溶液中钛酸锶晶粒的结晶过程，硅酸盐
[51]徐明霞，郑嘹赢，孙清池等，无机盐原料溶胶-凝胶工艺合成高纯超细钛酸锶粉料，硅酸盐学报，2000，28(2)：184-186
[52]陈贞亮，王政存，申承民等，溶胶-凝胶法制备纳米钛酸锶，功能材料，1999，30(6)：633-635
[53]方惠会，王开毅，草酸盐共沉淀法制备高纯超细钛酸锶粉体，中南工业大学学报，1996，27(3)：316-319
[54]周世平，李龙土，桂治轮，张孝文，钛酸锶铅基陶瓷材料的半导化研究，硅
酸盐学报，1994，22(4)：364-369
[55]陈文，徐庆，袁润章，SrTiO_3复合功能陶瓷的AC阻抗谱研究，硅酸盐通报，1999，4：18-21
[56]罗世永，张家芸，周士平，固相反应合成SrTiO_3的反应动力学，硅酸盐学报，2000，28(5)：458-462
[57]朱启安，石荣恺，黄伯清等，钛酸锶粉体合成新方法研究，无机盐工业，2002-03，34(2)：5-7
[58]王德君，周济，桂治轮等，(Sr，Pb)TiO_3超微粉体的制备与性质，无机材料学报，1996，12(2)：231-236
[59]宋秀芹，马建峰，无机非金属材料的软化学合成，硅酸盐通报，1996，6：57-60
[60]李景德，唐新桂，雷德铭，钛酸锶的还原工艺和晶粒性质，无机材料学报，1995，10(2)：199-203
[61]赖华生，邓汝富，草酸盐共沉淀法制备施主掺杂的SrTiO_3微粉，南方冶金学院学报，1998，19(3)：206-211
[62]曹全喜，周晓华，蔡式东等，SrTiO_3陶瓷中掺杂和Ti／Sr比的配合，功能材料，1995，26(5)：439-441
[63]肖鸣山，张承琚，王成建等，SrTiO_3陶瓷的介电谱研究，功能材料，1996，27(5)：441-442
[64]王连洲，范福康，一次烧成制度对SrTiO_3基电容-压敏复合功能陶瓷材料的影响，功能材料，1999，30(1)：46-48
[65]徐庆，陈文，袁润章，Mn对一次烧成钛酸锶陶瓷复合功能的影响，压电与声光，2000，22(6)：401-404
[66]Zou Q.et al. J Am Ceram,1995,78(1):58-64
[67]曹全喜，周晓华，孙志等，Mn在SrTiO_3功能陶瓷中的作用，压电与声光，1998，20(1)：59-63
[68]缪卫国，吴音，周和平，Ca固溶对SrTiO_3结构的影响，无机材料学报，1998，13(1)：48-52
[69]李建英，李盛涛，庄严等，SrTiO_3双功能陶瓷中CaTiO_3掺杂的研究，功能材料，2000，31(3)：281-282，286
[70]李建英，李盛涛，庄严等，SrTiO_3双功能陶瓷中TiO_2掺杂的作用，压电与声光，2000，22(1)：46-48
[71]李建英，李盛涛，庄严，SrTiO_3双功能陶瓷的施主掺杂研究，材料研究学报，2000，14(2)：193-197
[72]肖鸣山，庄得新，陈洪存，SrTiO_3基陶瓷多功能变阻器的研制，压电与声光，1993，15(2)：51-53
[73]王评初，康颖，李睁等，低温烧结SrTiO_3晶界势垒高度的研究，无机材料学报，1996，11(4)：691-695
[74]王评初，贾惠良，一种含钇的一次烧结SrTiO_3GBBL电容器材料，无机材料学报，1998，13(3)：92-94
[75]姚熹，精细功能陶瓷动态与展望．西安：西安交通大学出版社，1991
[76]蔡起善，功能性陶瓷的近况与发展，压电与声光，1991，13(6)：18-23
[77]Stanbaker Ferroelectric, VLSI Systems Design. 1988-05:116-123
[78]Geideman W A. Progress in ferroelectric memory technology. IEEE Trans Ultra Ferro Freq Cont, 1991,38(6):704
[79]Park H. et al. Ferroelectric Materials for 64Mb and 256Mb DRAMs IEEE Circuits and Devices Magazine. 1990,1:7-26
[80]Sheppard M. Advances in Processing of ferroelectric. Ceramic Bulletin, 1992,71(1):85-95
[81]Newnnam R E. et al. Smart electroceramics. J Am Ceram Soc. 1991,74(3):463
[82]柳田博明．1991，(5)：5
[83]Yanagida H. Intelligent Ceramics. Ferroelectrics, 1990,102:252
[84]Newnnam RE. et al. Smart ceramics. Ferroelectrics, 1990,10(2):259-266
[85]陈贞亮，杨金贤，纳米钛酸锶及其系列功能材料研究概述，盐湖研究，1999，7(2)：59-61
[86]陈志雄，付刚，唐大海，影响钙钛矿结构陶瓷n型半导化的结构因素，压电与声光，1999，21(6)：478-482
[87]陈志雄，周方桥，付刚等，钙钛矿结构陶瓷N型半导化评述，材料导报，2000，14(3)：44-47
[88]蔡起喜，功能陶瓷在电子技术发展中的新趋势，压电与声光，1993，15(5)：1-8
[89]孔令兵，张良莹，姚熹，玻璃掺杂(Sr_xBa_(1-x))TiO_3陶瓷基压敏材料的制备\表征及性能，硅酸盐学报，1997，25(6)：724-728
[90]赵景畅，鲍慈光，杨宗璐，掺SrLi_(1/4)Nb_(3/4)TiO_3的SrTiO_3缺陷化学研究，功
能材料，1999，30(4)：397-401
[91] 李建英，庄严，李盛涛等，SrTiO_3双功能陶瓷的表面效应，功能材料，1999，30(4)：399-400
[92] 徐庆，陈文，严宸强，SrTiO_3系多功能陶瓷一次烧成中的掺杂行为，电子元件与材料，1997，16(2)：21-23
[93] 李盛涛，刘辅宜，电子陶瓷电性能与微观结构参数的关系探讨，功能材料，1997，28(6)：592-595
[94] J. Daniels et al, Philips Res. Rep>, 1988, 31:487
[95] H.D. PAKK,D. A. PAYNE. Ceramics, 1989, 1: 272
[96] Phase Diagrams for Ceramists,Ed. by the American Ceramic Society, 1988
[97] S. Witek, D. M. Smyth. J. Am. Ceram. Soc., 1984, 67(5):372-375
[98] 方平安，顾辉，宋元伟，掺杂(Fe、Nb)SrTiO_3晶界组成的电子能量损失谱(EELS)分析，材料科学与工艺，2002，10(1)：48-50
[99] 邹秦，孟中岩，途覆扩散型SrTiO_3基陶瓷晶界叠加势垒模型，硅酸盐学报，1996，24(2)；185-190
[100] 徐庆，陈文，赵雷康等，SrTiO_3复合功能陶瓷中烧结助剂的研究，功能材料与器件学报，1999，5(1)：76-80
[101] 罗世永，张家芸，SrTiO_3的缺陷化学，北京科技大学学报，2001，23(5)：409-412
[102] 陈文，徐庆，袁润章，一次烧成SrTiO_3复合功能陶瓷中掺杂Ag~+离子的行为及其机制，功能材料，2001，32(3)：312-314
[103] 张庆秋，凌志远，何新华，SrTiO_3基中高压电容器瓷料的合成条件研究，中国陶瓷，2001，37(5)：11-14
[104] 徐庆，陈文，袁润章，Ni、Cu掺杂钛酸锶复合功能陶瓷的电学特性，压电与声光，2001，23(3)：223-226
[105] 孙献忠，鲍慈光，杨宗璐等，SrTiO_3基功能陶瓷的制备与特性研究，云南化工，1998，1：17-41
[106] 罗世永，张家芸，SrTiO_3中离子自扩散参数评估，北京科技大学学报，2001，23(3)：271-274
[107] 徐庆，陈文，周静，Ta~(5+)掺杂的SrTiO_3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究，武汉工业大学学报，1996，18(4)：17-20
[108] 王岩国，利用电子全息术测量掺锰钛酸锶双晶界面的势场分布，电子显微
学报，2001，20(2)：121-126
[109] 李建英，李盛涛，庄严，烧银电极对SrTiO_3环型压敏电阻器性能的影响，电子元件与材料，2000，1：1-2
[110] 吴红忠，添加剂对SrTiO_3基复合功能陶瓷材料性能的影响，江苏陶瓷，2001，34(1)：32-36
[111] 闫洪，钛酸锶陶瓷表面Ni-P金属化工艺的研究，上海有色金属，1999，20(3)
[112] 徐庆，陈文，氧化热处理对一次烧成的SrTiO_3复合功能陶瓷电性能的影响，武汉工业大学学报，1997，19(3)
[113] 李睁，王评初，低温烧结SrTiO_3晶界层电容器材料的体深能级的研究，无机材料学报，1998，13(2)：163-166
[114] 李建英，李盛涛，庄严，用PAT研究SrTiO_3双功能陶瓷的缺陷结构，电子学报，2000，28(8)：127-128
[115] 章欣，Mn对SrTiO_3基电容-压敏陶瓷非线性系数的影响，延安大学学报，1999，18(3)：34-38
[116] 肖明，TiO_2掺杂ZnO压敏陶瓷的晶粒生长研究，湖北大学学报，2001，23(2)：134-137
[117] 季惠明，郝俊杰，梁辉，SrTiO_3基压敏陶瓷低压化途径，电子元件与材料，2000，5(2)：5-6
[118] 曹全喜，籍聪麟，铜和碱金属影响压敏陶瓷性能的机理，压电与声光，2001，23(3)：186-188
[119] 曹全喜，周晓华，Co_3O_4在压敏陶瓷中的作用和影响，压电与声光，1996，18(4)：260-263
[120] 季惠明，徐廷献，低压SrTiO_3压敏陶瓷的制备及电学特性，天津大学学报，1996，29：114-119
[121] Ji Huiming, Xu Tingxian. Theoretical model and experiment investisation on SrTiO_3-based varistors. Transactions of Tianjin University, 2001,7(2):127-131