石墨烯/蓝宝石基底上无应力AlN的快速生长
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摘要
<正>以氮化物为代表的第三代半导体材料,在发光二极管~(1,2)、激光二极管~3、紫外辐射源~4、高频功率电子学~(5,6)等领域具有广阔的应用前景。目前,制备第三代半导体材料的常用方法是金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,常用的衬底主要包括蓝宝石、硅、碳化硅等。但是,在材料异质外延过程中,衬底与半导体薄膜之间较大的晶格失配和热失配会导致材料中应力的积累以及缺陷密度的升高。除此之外,在材料岛状拼接生长过程中,在拼接界面处会引入大量的缺陷结构7。上述两类缺陷严重地降低了材料的质量,进而会影响器件的效
引文
(1)Nakamura,S.;Mukai,T.;Senoh,M.J.Appl.Phys.1994,76,8189.doi:10.1063/1.357872
(2)Nakamura,S.;Krames,M.R.P.Ieee 2013,101,2211.doi:10.1109/JPROC.2013.2274929
(3)Nakamura,S.;Senoh,M.;Nagahama,S.;Iwasa,N.;Yamada,T.;Matsushita,T.;Kiyoku,H.;Sugimoto,Y.Jpn.J.Appl.Phys.1996,35,L74.doi:10.1143/JJAP.35.L74
(4)Kneissl,M.;Kolbe,T.;Chua,C.;Kueller,V.;Lobo,N.;Stellmach,J.;Knauer,A.;Rodriguez,H.;Einfeldt,S.;Yang,Z.;et al.Semicond.Sci.Tech.2011,26,014036.doi:10.1088/0268-1242/26/1/014036
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(8)Qi,Y.;Wang,Y.Y.;Pang,Z.Q.;Dou,Z.P.;Wei,T.B.;Gao P.;Zhang S.S.;Xu,X.Z.;Chang,Z.H.;Deng,B.;et al.J.Am.Chem.Soc.doi:10.1021/jacs.8b03871
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