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1.Effect of tungsten alloying on short-to-medium-range-order evolution and crystallization behavior of near-eutectic amorphous Ni-P

作者：Xun Zhan^a ; Pei Zhang^b ; Paul M. Voyles^b ; Xinyu Liu^c ; Rohan Akolkar^c ; Frank Ernst^a ; ^{frank.ernst@case.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Amorphous Ni0.80 P0.20 and Ni0.76 W0.04 P0.20 ; Atomistic structure ; Fluctuation electron microscopy ; Crystallization microstructure

刊名：Acta Materialia

出版年：2017

2.Crystallization micro-mechanism of near-eutectic amorphous Ni-P

作者：Xun Zhan ; Frank Ernst ; ^{frank.ernst@case.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Amorphous Ni&ndashP ; Crystallization micro-mechanism

刊名：Acta Materialia

出版年：2016

3.Hyperparathyroidism complicating CYP 24A1 mutations

刊名：Annales d'Endocrinologie

出版年：2016

4.Algorithms for large scale Shift Minimisation Personnel Task Scheduling Problems

作者：M. Krishnamoorthy^a ; ^c ; ^{mohank@iitbmonash.org} ; A.T. Ernst^b ; ^{Andreas.Ernst@cmis.csiro.au} ; D. Baatar^c ; ^{d.baatar11@gmail.com}

关键词：Scheduling ; Lagrangean relaxation ; Task Scheduling ; Machine scheduling ; Personnel scheduling

刊名：European Journal of Operational Research

出版年：2012

5.SOI 1T-DRAM cells with variable channel length and thickness: Experimental comparison of programming mechanisms

作者：Alexandre Hubert^a ; Maryline Bawedin^b ; Georges Guegan^a ; Thomas Ernst^a ; ; ^{thomas.ernst@cea.fr} ; Olivier Faynot^a ; Sorin Cristoloveanu^b

关键词：Capacitor-less DRAM ; 1T-DRAM ; MSDRAM ; MSD effect ; Floating-body ; Fully depleted ; Silicon-On-Insulator (SOI) ; Memory ; Coupling

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2011

6.Influence of source/drain formation process on resistance and effective mobility for scaled multi-channel MOSFET

作者：Kiichi Tachi^a ; ; ^{k.tachi@iwailab.ep.titech.ac.jp} ; Nathalie Vulliet^b ; Sylvain Barraud^a ; Kuniyuki Kakushima^d ; Hiroshi Iwai^d ; Sorin Cristoloveanu^c ; Thomas Ernst^a ; ; ¹ ; ; ^{thomas.ernst@cea.fr}

关键词：Multi-channel field-effect transistors (MCFETs) ; 3-D structure ; Source/drain resistance ; Mobility ; Selective epitaxial growth (SEG) ; In situ doping ; SOI

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2011

7.Effect of absorption enthalpy on temperature-swing CO₂ separation process performance

作者：Ernst A. van Nierop^a ; ^{ernst@c12energy.com} ; Sahand Hormoz^b ; Kurt Z. House^a ; Michael J. Aziz^b

关键词：TSA systems ; CO₂ capture process performance ; Enthalpy of absorption ; MEA

刊名：Energy Procedia

出版年：2011

8.Study of CVD nanowire high-k metal interface quality for interconnect level MOS devices

作者：P.H. Morel^a ; C. Leroux^a ; J.M. Hartmann^a ; C. Morin^b ; P. Faucherand^b ; S. Perraud^b ; L. Cagnon^c ; T. Baron^d ; B. Salem^d ; M. Fayolle-Lecocq^a ; T. Ernst^a ; ^{thomas.ernst@cea.fr"" rel=""nofollow}

关键词：CVD nanowire ; Selective Epitaxial Growth ; Nanocapacitor ; VLS growth ; Low temperature gate stack

刊名：Microelectronic Engineering

出版年：2011

9.The carbide M₇C₃ in low-temperature-carburized austenitic stainless steel

作者：Frank Ernst ; ^a ; ^{frank.ernst@cwru.edu} ; Dingqiang Li^a ; Harold Kahn^a ; Gary M. Michal^a ; Arthur H. Heuer^a

关键词：Metal carbides ; Carbide precipitation ; Austenitic stainless steel ; Fe– ; Cr– ; Ni ; Surface alloying

刊名：Acta Materialia

出版年：2011

10.Ultra-dense silicon nanowires: A technology, transport and interfaces challenges insight (invited)

作者：T. Ernst^a ; ^{thomas.ernst@cea.fr"" rel=""nofollow} ; S. Barraud^a ; K. Tachi^a ; C. Vizioz^a ; T. Magis^a ; P. Brianceau^a ; A. Hubert^a ; N. Vulliet^b ; J.-M. Hartmann^a ; M. Cassé ; ^a

关键词：Nanowire ; 3D memory ; Nanowire mobility ; Nanowire interface ; MOSFET

刊名：Microelectronic Engineering

出版年：2011

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