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1.Anharmonic effect on first-order Raman modes of p-type 6H-SiC single crystals

作者：Xuejian Xie^a ; ^b ; Yan Peng^a ; ^b ; ^{penny4964@163.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Fusheng Zhang^a ; ^b ; Rongkun Wang^a ; ^b ; Xiufang Chen^a ; ^b ; Xiaobo Hu^a ; ^b ; ^{xbhu@sdu.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Xiangang Xu^a ; ^b

关键词：p-type SiC ; Anharmonic effect ; Raman spectra ; Phonon property

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2017

2.Study of surface exfoliation on 6H-SiC induced by H₂⁺ implantation

作者：L. Zhang^a ; B.S. Li^b ; ^{b.s.li@impcas.ac.cn}

关键词：Smart-cut ; H2+ implantation ; Transmission electron microscopy ; Exfoliation ; Blisters

刊名：Physica B: Condensed Matter

出版年：2017

3.Fabrication of a resin-bonded ultra-fine diamond abrasive polishing tool by electrophoretic co-deposition for SiC processing

作者：J. Lu^a ; ^b ; ^{lujing26@hqu.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Q.F. Luo^a ; ^b ; X.Y. Mao^b ; X.P. Xu^a ; ^b ; Y.H. Wang^a ; H. Guo^a ; ^b

关键词：Ultra-fine diamond ; Electrophoretic co-deposition ; Polishing tool ; Silicon carbide

刊名：Precision Engineering

出版年：2017

4.Si/SiC heterojunction prepared by metal induced crystallization of amorphous silicon

作者：Yuan Zang^a ; Lian-bi Li^b ; ^{xpu_lilianbi@163.com} ; Jing An^a ; Lei Huang^a ; Hai Li Jin^c

关键词：Si/SiC heterostructure ; Metal induced crystallization ; Raman spectra ; TEM

刊名：Materials Letters

出版年：2017

5.Transient and steady state study of a rear-illuminated 6H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch

作者：Zahra Hemmat^a ; ^{z.hemmat86@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Rahim Faez^a ; Enrique Moreno^b ; Farhood Rasouli^c ; Farzad Radfar^a ; Mohsen Zaimbashi^a

关键词：Photoconductive semiconductor switch ; Semi-insulating 6H-SiC ; High power ; Vanadium compensation ; Radial lateral structure

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2016

6.Atomic-scale characterization of Si(110)/6H-SiC(0001) heterostructure by HRTEM

作者：L.B. Li^a ; ^b ; ^{xpu_lilianbi@163.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Z.M. Chen^b ; Y. Zang^b ; S. Feng^a

关键词：Si/6H-SiC heterostructure ; Epitaxial growth ; Crystal structure ; Transmission electron microscopy

刊名：Materials Letters

出版年：2016

7.Investigation of amorphization energies for heavy ion implants into silicon carbide at depths far beyond the projected ranges

作者：E. Friedland ^{erich.friedland@up.ac.za}

关键词：Silicon carbide ; Ion implantations ; Amorphization energies

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2017

8.3,1,2,4-Benzothiaselenadiazine and related heterocycles: synthesis and transformation into Herz-type radicals

作者：Yulia M. Volkova^a ; Alexander Yu. Makarov^a ; ^{makarov@nioch.nsc.ru} ; Samat B. Zikirin^b ; ^c ; Alexander M. Genaev^a ; Irina Yu. Bagryanskaya^a ; ^d ; Andrey V. Zibarev^a ; ^e

刊名：Mendeleev Communications

出版年：2017

9.Identification of 6H-SiC polar faces with pull-off force of atomic force microscopy

作者：Di Gan^a ; Youting Song^a ; Junwei Yang^a ; Hongxiang Chen^a ; Liwei Guo^a ; ^{lwguo@iphy.ac.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Xiaolong Chen^a ; ^b ; ^{chenx29@iphy.ac.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Polar face identification ; SiC ; Pull-off force ; Atomic force microscopy

刊名：Applied Surface Science

出版年：2016

10.Surface engineering of SiC via sublimation etching

作者：Valdas Jokubavicius^a ; ^{valjo@ifm.liu.se" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Gholam R. Yazdi^a ; Ivan G. Ivanov^a ; Yuran Niu^b ; Alexei Zakharov^b ; Tihomir Iakimov^a ; Mikael Syvä ; jä ; rvi^a ; Rositsa Yakimova^a

关键词：Sublimation ; 6H-SiC ; 4H-SiC ; 3C-SiC ; Sublimation etching

刊名：Applied Surface Science

出版年：2016

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