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1.Misfit strain-induced changes in the Fe-sublattice of multiferroic Pb(Fe_1/2Nb_1/2)O₃ epitaxial nanofilm seen via Raman spectroscopy

作者：Yu.I. Yuzyuk^a ; I.P. Raevski^a ; ^{igorraevsky@gmail.com} ; S.I. Raevskaya^a ; N. Lemé ; e^b ; M.G. Karkut^b ; W. Peng^b ; ^c ; M. El Marssi^b ; H. Chen^d

关键词：Multiferroic ; Lead iron niobate ; Thin film ; Raman spectra ; Strain engineering

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2017

2.Strain in epitaxial high-index Bi₂Se₃(221) films grown by molecular-beam epitaxy

作者：Bin Li^a ; Weiguang Chen^b ; ^c ; Xin Guo^a ; Wingkin Ho^a ; Xianqi Dai^b ; ^c ; Jinfeng Jia^d ; Maohai Xie^a ; ^mhxie@hku.hk

关键词：High-index Bi2Se3 ; Strain ; Topological insulator ; Heterostructure ; Molecular-beam epitaxy

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

3.Thickness-dependent anisotropy of metal-insulator transition in (110)-VO₂/TiO₂ epitaxial thin films

作者：Kai Hu^a ; Yuanjun Yang^a ; ^b ; ^{yangyuanjun@ustc.edu.cn} ; Bin Hong^a ; Jiangtao Zhao^a ; Zhenlin Luo^a ; ^b ; Xiaoguang Li^c ; Xingmin Zhang^d ; Yueliang Gu^d ; Xingyu Gao^d ; Chen Gao^a ; ^b ; ^{cgao@ustc.edu.cn}

关键词：Anisotropic metal-insulator transition ; Anisotropic electronic transport ; Epitaxial strain ; Vanadium dioxide thin film ; Stripe domain structure

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2017

4.Effects of residual strain on magnetoresistance in heterostructures of La_0.9Ca_0.1MnO₃/0.7Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-0.3PbTiO₃

作者：Yaping Qi^a ; ¹ ; Lin Wang^b ; ¹ ; Yucheng Jiang^c ; Zhenping Wu^a ; Linjun Wang^b ; Ju Gao^a ; ^jugao@hku.hk

关键词：LCMO/PMN-PT heterostructures ; Compressive strain ; Ferroelectric poling ; Magnetoresistance ; Residual strain effects

刊名：Vacuum

出版年：2017

5.Exceptional thermal strain reduction by a tilting pillar architecture: Suspended Ge layers on Si (001)

作者：Anna Marzegalli^a ; Andrea Cortinovis^a ; Francesco Basso Basset^a ; Emiliano Bonera^a ; Fabio Pezzoli^a ; Andrea Scaccabarozzi^a ; Fabio Isa^b ; Giovanni Isella^c ; Peter Zaumseil^d ; Giovanni Capellini^d ; ^e ; Thomas Schroeder^d ; Leo Miglio^a ; ^{leo.miglio@unimib.it}

关键词：Stress relaxation ; Semiconductor material ; Finite elements ; Thermal strain ; Germanium

刊名：Materials & Design

出版年：2017

6.Influence of strain on an epitaxial ferroelectric (Ba_0.50Sr_0.50)TiO₃ nanodot under different electrical boundary conditions

作者：S. Bin-Omran ^{somran@ksu.edu.sa}

刊名：Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures

出版年：2017

7.Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001) substrates

作者：Yadira Arroyo Rojas Dasilva^a ; ^{Yadira.Arroyo@empa.ch" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Marta D. Rossell^a ; Fabio Isa^a ; ^b ; Rolf Erni^a ; Giovanni Isella^c ; Hans von Kä ; nel^a ; ^b ; Pierangelo Grö ; ning^d

关键词：Dislocations ; Stacking Faults ; Twins ; HAADF-STEM ; Ge

刊名：Scripta Materialia

出版年：2017

8.Comparative study of threading dislocations in GaN epitaxial layers by nondestructive methods

作者：Cosmin Romanitan^a ; ^b ; ^{cosmin.romanitan@imt.ro" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Raluca Gavrila^a ; Mihai Danila^a ; ^{mihai.danila@imt.ro" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Gallium nitride ; Threading dislocations ; Screw/edge ; X-ray rocking curves

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

9.Growth and atomic structure of tellurium thin films grown on Bi₂Te₃

作者：Yuma Okuyama^a ; Yuya Sugiyama^a ; Shin-ichiro Ideta^b ; Kiyohisa Tanaka^b ; Toru Hirahara^a ; ^{hirahara@phys.titech.ac.jp}

关键词：Tellurium ; Thin film ; Epitaxial growth ; Strain

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

10.Electrical transport in epitaxial La_0.7Ca_0.3MnO₃ thin films

作者：S. El Helali^a ; ^{saoussen_elhelali@yahoo.fr} ; K. Daoudi^b ; ^c ; M. Oumezzine^a ; M. Oueslati^b

关键词：Manganite ; Thin film ; Magneto-resistance ; Percolation model

刊名：Physica B: Condensed Matter

出版年：2017

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