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1.Effect of thermal and load cycle on thermal contact conductance across dissimilar joints at cryogenic temperature

作者：Reji Joseph^a ; ^{rejijoseph70@gmail.com} ; Jophy Peter^a ; S. Sunil Kumar^a ; N. Asok Kumar^b

关键词：Thermal contact conductance ; Cryogenic ; Load cycle ; Thermal cycle ; Dissimilar joint ; Hysteresis

刊名：Applied Thermal Engineering

出版年：2017

2.Enhanced CMOS image sensor by flexible 3D nanocone anti-reflection film

作者：Li Tian^a ; Xiaolei Luo^a ; ^b ; Min Yin^a ; ^{yinm@sari.ac.cn} ; Dongdong Li^a ; ^{lidd@sari.ac.cn} ; Xinzhong Xue^a ; Hui Wang^a

关键词：CMOS image sensor ; Nancone anti-reflection film ; Quantum efficiency ; Digital data value ; Root-mean-square contrast

刊名：Science Bulletin

出版年：2017

3.Interface traps in Al/HfO₂/SiO₂/4H-SiC metal-insulator-semiconductor (MIS) structures studied by the thermally-stimulated current (TSC) technique

作者：Mariusz Sochacki^a ; ^{msochack@imio.pw.edu.pl" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; ^{msochack@elka.pw.edu.pl" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Krystian Krol^a ; ^b ; Michal Waskiewicz^a ; Katarzyna Racka^c ; Jan Szmidt^a

关键词：4H-SiC ; Thermally-stimulated current ; TSC ; High-k ; MOS structure

刊名：Microelectronic Engineering

出版年：2016

4.Atomistic modeling of epitaxial growth of semiconductor materials

作者：Ignacio Martin-Bragado ; ^{ignacio.martin@imdea.org" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Andrey Sarikov ^{andrey.sarikov@imdea.org" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Lattice kinetic Monte Carlo modeling ; Solid phase epitaxial regrowth ; Metal organic chemical vapor deposition ; Defect evolution ; Silicon ; Gallium arsenide

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2016

5.Current injection from metal to MoS₂ probed at nanoscale by conductive atomic force microscopy

作者：F. Giannazzo^a ; ; G. Fisichella^a ; A. Piazza^a ; ^b ; ^c ; S. Di Franco^a ; I.P. Oliveri^a ; S. Agnello^b ; F. Roccaforte^a

关键词：Conductive atomic force microscopy ; MoS2 ; Schottky barrier ; Ideality factor

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2016

6.Role of surfaces and interfaces in mechanical and piezoresistive properties of bare Si/Ge heterostructure nanowires

作者：Shuang-ying Lei ; ^{lsy@seu.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Shan Luan ; Yi Li ; Hong Yu ; Qing-An Huang

关键词：Mechanical properties ; Piezoresistive properties ; First-principles ; Si/Ge heterostructure nanowires ; Interfaces

刊名：Physics Letters A

出版年：2016

7.The use of interface-sensitive test structure comprising of shallow trench isolation as a tool for analyzing the quality of Si-SiO₂ interfaces

作者：Yelena Kaminski^a ; ^b ; Eitan Shauly^b ; Yaron Paz^a ; ^{paz@tx.technion.ac.il" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Wet cleaning ; STI interface ; Image sensor ; Dark current

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2016

8.Sr/Si(100)(1 × 2) reconstruction as a template for the growth of crystalline high-k films on silicon: Atomic structure and reactivity

作者：M. Kuzmin^a ; ^b ; ^{m.kuzmin@mail.ioffe.ru" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; P. Laukkanen^a ; M.P.J. Punkkinen^a ; J. Mä ; kelä ; ^a ; M. Yasir^a ; J. Dahl^a ; M. Tuominen^a ; K. Kokko^a

关键词：Semiconductor surfaces and interfaces ; Silicon ; Alkaline-earth metals ; Atomic structure ; Scanning tunneling microscopy ; Oxidation

刊名：Surface Science

出版年：2016

9.Flat band voltage modulation of AlGaN/GaN MOS capacitor with stacked Al₂O₃/La₂O₃ high dielectric structures

作者：Yu-Hai Chen ^{firefoxchen@163.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Hong-Xia Liu ; ^{hxliu@mail.xidian.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Han-Chen-Xi Xu ; Shu-Long Wang ; Xiao-Jiao Fan ; Lu Zhao ; Xing-yao Feng

关键词：Gallium nitride ; Atomic layer deposition ; High-k dielectric ; Flat band voltage ; Dipole layer

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2016

10.Hybridization-induced charge rebalancing at the weakly interactive C₆₀/Fe₃O₄(001) spinterface

作者：P.K. Johnny Wong^a ; ^b ; ^{johnny.wong@utwente.nl" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Wen Zhang^c ; Gerrit van der Laan^d ; Michel P. de Jong^a ; ^{m.p.dejong@utwente.nl" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Spintronics ; Magnetic ultrathin films ; Electron spectroscopy ; Organic&ndash ; inorganic interfaces ; Magnetite ; Organic semiconductors

刊名：Organic Electronics

出版年：2016

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